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公开(公告)号:CN103436947B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201310419407.3
申请日:2013-09-13
Applicant: 上海化工研究院
IPC: C25F3/22
Abstract: 本发明涉及涂层导体Ni-5at.%W合金基带的电化学抛光方法,以Ni-5at.%W合金基带作为阳极,以纯镍片作为阴极,将Ni-5at.%W合金基带在静态下浸渍于电解抛光液中,开启电源对Ni-5at.%W合金基带进行抛光处理,抛光处理后的合金基带再经去离子水反复冲洗,并用无水乙醇脱水、风机吹干即可,电解抛光液为磷酸、硫酸、乙二醇按体积比为2-4∶3-5∶2-3混合而成的电解抛光液。与现有技术相比,本发明抛光后的合金基带通过原子力显微镜分析,在5×5μm范围内RMS小于1纳米,消除了由RABiTS制备基带产生的晶界沟槽效应,且对原始基带立方织构无影响,满足涂层导体对基带表面平整度的要求。
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公开(公告)号:CN103436947A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201310419407.3
申请日:2013-09-13
Applicant: 上海化工研究院
IPC: C25F3/22
Abstract: 本发明涉及涂层导体Ni-5at.%W合金基带的电化学抛光方法,以Ni-5at.%W合金基带作为阳极,以纯镍片作为阴极,将Ni-5at.%W合金基带在静态下浸渍于电解抛光液中,开启电源对Ni-5at.%W合金基带进行抛光处理,抛光处理后的合金基带再经去离子水反复冲洗,并用无水乙醇脱水、风机吹干即可,电解抛光液为磷酸、硫酸、乙二醇按体积比为2-4∶3-5∶2-3混合而成的电解抛光液。与现有技术相比,本发明抛光后的合金基带通过原子力显微镜分析,在5×5μm范围内RMS小于1纳米,消除了由RABiTS制备基带产生的晶界沟槽效应,且对原始基带立方织构无影响,满足涂层导体对基带表面平整度的要求。
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