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公开(公告)号：CN103885120A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210558146.9
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种紧密级联型光功率分配器，即本分配器包括一个输入波导、N个输出波导和分叉区，分叉区包括级联的个光功率分配器单元，级联数，级联的个光功率分配器单元首级输入端连接输入波导、末级输出端由多段弧形波导和/或多段直波导分别连接N个输出波导，除第一级光功率分配器单元外，任意光功率分配器单元对称轴与所述输入波导轴线相交，所述个光功率分配器单元之间由单段弧形波导连接。本光功率分配器有效提高了集成度，其器件长度小于传统光功率分配器，且随级数增长较慢，能在级联数较高的情况下保持较小的外形尺寸，减小了光器件的插入损耗，具有带宽高、功率分配均匀等优点。
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公开(公告)号：CN103882407A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210558161.3
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在石英基底表面制备二氧化硅膜的方法，即将石英基底置于载物台，利用氢氧焰高温水解反应在石英基底表面分别依次生长下包层、芯层和上包层，各层生长时氢氧枪选择通入SiCl4、H2、O2、GeCl4、BCl3、POCl3气体，并控制各气体的通气量、载物台温度和生长速度，得到不同厚度的下包层、芯层和上包层，各层生长完毕后分别在真空快速退火炉中进行退火处理，并控制退火炉的升降温速度及保温时间，得到石英基底表面的二氧化硅膜。本方法克服了传统制备方法的缺陷，实现二氧化硅膜折射率的可调，避免退火过程中二氧化硅晶体的析出，提高了制膜效率和质量。
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公开(公告)号：CN103424805A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201210558152.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种Y分叉结构1×2光功率分配器，即本分配器包括高阶模式抑制区、分叉区和模场分离区，高阶模式抑制区由输入锥形波导、模式抑制波导和输出锥形波导依次衔接组成，分叉区由两条单模直波导一端交叉连接组成，输出锥形波导连接两条单模直波导的交叉端，模场分离区由两条S形单模波导构成，两条S形单模波导一端分别连接两条单模直波导另一端。本分配器具有工作带宽大，插入损耗小，功率均分性不受输入信号高阶模式影响，满足各类光网络中信号传输的要求。
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公开(公告)号：CN203025377U
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201220709958.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本实用新型公开了一种Y分叉结构1×2光功率分配器，即本分配器包括高阶模式抑制区、分叉区和模场分离区，高阶模式抑制区由输入锥形波导、模式抑制波导和输出锥形波导依次衔接组成，分叉区由两条单模直波导一端交叉连接组成，输出锥形波导连接两条单模直波导的交叉端，模场分离区由两条S形单模波导构成，两条S形单模波导一端分别连接两条单模直波导另一端。本分配器具有工作带宽大，插入损耗小，功率均分性不受输入信号高阶模式影响，满足各类光网络中信号传输的要求。
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公开(公告)号：CN203311027U
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201220710006.4
申请日：2012-12-20
Applicant: 上海信电通通信建设服务有限公司 , 上海鸿辉光通科技股份有限公司 , 上海交通大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本实用新型公开了一种紧密级联型1×N光功率分配器，即本分配器包括一个输入波导、N个输出波导和分叉区，分叉区包括级联的个光功率分配器单元，级联数，级联的个光功率分配器单元首级输入端连接输入波导、末级输出端由多段弧形波导和/或多段直波导分别连接N个输出波导，除第一级光功率分配器单元外，其余光功率分配器单元对称轴与所述输入波导轴线相交，所述个光功率分配器单元之间由单段弧形波导连接。本光功率分配器有效提高了集成度，其器件长度小于传统光功率分配器，且随级数增长较慢，能在级联数较高的情况下保持较小的外形尺寸，减小了光器件的插入损耗，具有带宽高、功率分配均匀等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114567383A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210137119.8
申请日：2022-02-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅基集成光子毫米波/太赫兹传递系统，本地端将具有太赫兹间隔的两路波分复用光信号经过波分解复用器、双平行马赫增德尔调制器构成的移频器、偏振控制器后由传递链路传递至用户端。本地端探测往返光学频率信号与本地光学频率之间的相位差，通过控制其中一路双平行马赫增德尔调制器构成的移频器的工作频率，补偿传递链路在前向传递光学频率信号中引入的相位噪声，使得用户端获得相位稳定的光学频率信号。本发明利用硅基光电子集成芯片实现光子毫米波/太赫兹传递系统，具有系统结构简单、整体噪声低、结构紧凑、封装简单和可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN113985521A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111233583.9
申请日：2021-10-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种硅‑氮化硅三维集成偏振无关波长选择光开关阵列芯片，包括输入耦合器、偏振旋转分束器、波长选择光开关阵列、波导层间耦合器、偏振旋转合束器和输出耦合器。利用硅‑氮化硅三维集成，实现工艺容差大、控制简便的氮化硅微环光开关，低损耗、低串扰的波导交叉结以及高效率的波导层间耦合器。在氮化硅微环上集成微加热器来调谐谐振波长与输入光信号的波长通道匹配，支持波长选择路由。利用偏振旋转分束和合束器，仅用单个光开关阵列即可实现偏振无关操作，不需要外部偏振控制，解决目前硅光芯片对偏振敏感问题，并能够兼容偏振复用信号。该芯片支持波长粒度、偏振复用光信号在任意端口间路由，具有结构紧凑、控制简便等优点。
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公开(公告)号：CN111342342B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010103855.2
申请日：2020-02-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01S5/14
Abstract: 一种集成迈克尔逊干涉仪‑双程放大器的III‑V/硅基端面耦合外腔激光器，该外腔激光器的反射型半导体光放大器芯片的一个增益通道通过硅基光斑尺寸转换器连接到硅基移相器，之后再经过两个微环谐振腔级联构成的窄带滤波器，连接到环形反射镜，以此构成硅基外腔激光器。为了增加输出光功率，反射镜的输出端经过一个移相器连接到迈克尔逊干涉仪。该迈克尔逊干涉仪由硅基定向耦合器与反射型半导体光放大器芯片的另外两个增益通道端面对准构成。本发明能同时实现激光器的窄线宽和高功率，增益芯片和硅芯片只通过一个端面耦合，具有结构紧凑、封装简单和可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN108665924B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201810435568.4
申请日：2018-05-09
Applicant: 上海交通大学
IPC: G11C11/42
Abstract: 一种阵列化硅基可编程光存储芯片，依次包括：写入光信号的串并分解模块、阵列化的光电转换模块、阵列化的电处理和存储模块、阵列化的电光调制模块、延迟和幅度可调的读出光信号并串合成模块。模块下辖的集成光路元件与集成电路元件集成在由光芯片、电储存芯片和电放大驱动与控制芯片组成的芯片系统上。高速光信号的输入输出通过光纤耦合实现。本发明将电学忆阻器和光学延迟线结合使用，实现了超高速大容量的光随机存取，对于光通信系统中大容量全光光交换有重要的支撑作用。芯片集成度高，CMOS兼容性好，便于低成本规模化量产，具有突出的实用价值。
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公开(公告)号：CN111694170A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010539938.6
申请日：2020-06-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于相变材料的可控光束转向器，该器件包括横向排列的下电极，纵向排列的上电极，在上电极和下电极交叉的区域为相变材料层，上下形成三明治结构。光束从底面入射，经过该器件后，从表面输出，通过控制相变材料状态，实现对输出透射光束偏转角的控制。本发明利用相变材料的上下层电极，对相变单元施加电脉冲，电脉冲经过相变材料产生焦耳热使相变区域温度升高，实现相变材料在晶态、非晶态或者混合态间的变换，以此改变透射光输出相位，实现光束转向功能。本发明二维相变阵列可以灵活编程获得任意输出相位分布，从而能实现对光束偏转角的灵活调节。相变材料只在状态切换时消耗能量，因此该器件没有静态功耗。
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