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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111342342A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010103855.2
申请日：2020-02-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01S5/14
Abstract: 一种集成迈克尔逊干涉仪-双程放大器的III-V/硅基端面耦合外腔激光器，该外腔激光器的反射型半导体光放大器芯片的一个增益通道通过硅基光斑尺寸转换器连接到硅基移相器，之后再经过两个微环谐振腔级联构成的窄带滤波器，连接到环形反射镜，以此构成硅基外腔激光器。为了增加输出光功率，反射镜的输出端经过一个移相器连接到迈克尔逊干涉仪。该迈克尔逊干涉仪由硅基定向耦合器与反射型半导体光放大器芯片的另外两个增益通道端面对准构成。本发明能同时实现激光器的窄线宽和高功率，增益芯片和硅芯片只通过一个端面耦合，具有结构紧凑、封装简单和可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN110911958A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911165970.6
申请日：2019-11-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于二维材料可饱和吸收体的硅基被动锁模外腔激光器，包括反射型半导体光放大器、可饱和吸收体、光斑尺寸转换器、螺线形硅波导和反射镜。本发明使用二维材料如过渡金属硫族化合物，石墨烯，或碳纳米管来实现可饱和吸收体，利用其窄带隙、超快电子弛豫时间和高损伤阈值的特点，可得到窄脉冲宽度、高重复频率和高光谱纯度的锁模激光输出。其良好的机械柔性允许其沉积在硅和二氧化硅衬底上，与超低损耗无源螺线形硅波导相连构成外腔激光器结构，进一步缩减脉冲宽度。本发明拥有稳定的模式锁定操作和Q开关操作，具有结构紧凑、制造成本低、能耗低的优点。
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公开(公告)号：CN111342342B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010103855.2
申请日：2020-02-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01S5/14
Abstract: 一种集成迈克尔逊干涉仪‑双程放大器的III‑V/硅基端面耦合外腔激光器，该外腔激光器的反射型半导体光放大器芯片的一个增益通道通过硅基光斑尺寸转换器连接到硅基移相器，之后再经过两个微环谐振腔级联构成的窄带滤波器，连接到环形反射镜，以此构成硅基外腔激光器。为了增加输出光功率，反射镜的输出端经过一个移相器连接到迈克尔逊干涉仪。该迈克尔逊干涉仪由硅基定向耦合器与反射型半导体光放大器芯片的另外两个增益通道端面对准构成。本发明能同时实现激光器的窄线宽和高功率，增益芯片和硅芯片只通过一个端面耦合，具有结构紧凑、封装简单和可靠性高的优点。
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公开(公告)号：CN111244758A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010073025.X
申请日：2020-01-22
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于横磁模的硅基窄线宽高功率外腔激光器，包括反射型半导体光放大器、光斑尺寸转换器、移相器、第一微环滤波器、第二微环滤波器、萨格纳克反射镜和模式转换器，本发明通过两个微环滤波器的游标效应构成滤波结构，可得到宽调谐范围窄线宽激光。利用横磁模在半导体光放大器中线宽增强因子小，在硅波导中传输损耗小，功率上限高的优势，可进一步压缩激光器线宽，提高输出激光功率，同时基于横磁模的硅光无源器件也具有更大的工艺容差。在激光出射端用模式转换器将横磁模转换为横电模，能与其他基于横电模的光信号处理器件相集成。
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公开(公告)号：CN110911950A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911179230.8
申请日：2019-11-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种高速高线性的硅-铌酸锂外腔调频激光器，该外腔激光器的反射型半导体光放大器通过硅基光斑尺寸转换器连接到移相器，之后移相器的输出端与第一微环滤波器的输入端相连，第一微环滤波器的输出端连接第二微环滤波器的输入端，第二微环滤波器的输出端与反射镜的输入端相连。之后在硅波导上方键合铌酸锂薄膜。本发明通过两个微环滤波器的游标效应构成滤波结构，可得到宽调谐范围窄线宽激光。利用铌酸锂薄膜损耗低、线性电光效应强、调制速度快的优势，可进一步压缩激光器线宽，提高输出激光功率，并实现高速线性调频。
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