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公开(公告)号：CN110862083A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201810981805.7
申请日：2018-08-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种磁场辅助紫外光氧化实现石墨烯薄膜图案化方法，包括如下步骤：步骤1：在紫外光氧化真空设备的样品架(8)上放置磁场发生装置，将紫外光氧化真空设备的磁场调至到预设磁场；所述预设磁场为反应腔室内的磁场、反应腔室内的磁场梯度方向均垂直于样品架(8)；步骤2：将表面放置有掩模版(14)的样品(13)置于样品架(8)上，调整样品架(8)与光源(6)的距离至预设距离；步骤3：将反应腔室(1)内的空气排出。本发明利用磁场辅助紫外光氧化方法，以水分子为氧化源，通过在样品表面施加竖直方向的非均匀磁场，控制紫外光生顺磁性OH(X2Ⅱ)自由基产生定向运动，具有增强氧化刻蚀效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118033814A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410074655.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及集成光学领域，公开了一种基于掺杂绝缘体上铌酸锂波导的光放大器，包括衬底层、二氧化硅缓冲层、掺铒薄膜铌酸锂器件层，所述掺铒薄膜铌酸锂器件层、所述二氧化硅缓冲层以及所述衬底层依次层叠，所述掺铒薄膜铌酸锂器件层设置有脊型波导结构，所述脊型波导的高度和宽度均为微米级别。本发明还公开了制备基于掺杂绝缘体上铌酸锂波导的光放大器的方法。本发明提供的基于掺杂绝缘体上铌酸锂波导的光放大器，有效地解决了同类纳米波导光放大器中耦合效率低、器件插损高、输出功率和饱和功率低的困难，且具有更高的增益，与光纤直接兼容，可与微米级绝缘体上铌酸锂器件集成，波导芯片长度更短，封装后的器件尺寸小，实现更广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115980917A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310109828.X
申请日：2023-02-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开了一种微米级铌酸锂脊型波导，包括铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层以及称底层，所述铌酸锂薄膜层、所述二氧化硅缓冲层以及所述称底层依次层叠，所述铌酸锂薄膜层的厚度为1‑5微米。本申请还公开了制备微米级铌酸锂脊型波导的方法。该方法适用于1‑5微米厚度铌酸锂薄膜，采用紫外光刻结合干法刻蚀的制备铌酸锂脊型波导的方案，兼容于传统半导体工艺，具有低成本高效、可大规模制备、可直接大量应用等优势，对现有技术改动较小，却能达到很好的效果。
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公开(公告)号：CN107611020B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201610546722.6
申请日：2016-07-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种利用紫外光氧化实现和调控石墨烯薄膜图案化的方法，包括：步骤1：利用氙灯准分子紫外光氧化方法和硬质掩膜版实现石墨烯薄膜微米结构图形图案化；步骤2：通过在石墨烯薄膜表面施加垂直方向的非均匀性磁场，控制氧激子沿磁场方向向石墨烯薄膜运动，增强其沿垂直方向对石墨烯薄膜刻蚀的方向性，提高石墨烯薄膜微米结构图案化质量；步骤3：通过调节磁场的强度和方向(譬如沿水平方向)，控制氧激子运动的方向性，调控刻蚀石墨烯薄膜图形结构的形状，达到调控石墨烯薄膜图案化目的。本发明中的方法能够实现和调控微米图形结构阵列，适宜于大面积石墨烯薄膜图案化、无光刻胶污染、成本较低、且图案化石墨烯薄膜质量高。
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公开(公告)号：CN119620506A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411823422.9
申请日：2024-12-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钽酸锂上掺杂稀土元素铌酸锂波导的光放大器及制法，涉及光通信技术领域。包括自下而上依次层叠的钽酸锂衬底层、掺杂稀土元素薄膜铌酸锂器件层和上包层，掺杂稀土元素薄膜铌酸锂器件层设置有脊型波导，脊型波导的高度和宽度均为微米级别，且脊型波导的两端面分别耦合有光纤。本发明相比于目前报道的铌酸锂薄膜纳米波导光放大器，具有更大的模式体积和更长的有效波导长度，器件整体增益效果更大，饱和输出功率高。脊型波导与透镜光纤/高数值孔径光纤之间具有很好的模式匹配，有效地解决了同类纳米波导光放大器中耦合效率低、器件插损高、输出功率和饱和功率低的困难，大幅提升了性能并且降低了制作成本，更具备实际应用潜力。
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公开(公告)号：CN107611020A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201610546722.6
申请日：2016-07-12
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种利用紫外光氧化实现和调控石墨烯薄膜图案化的方法，包括：步骤1：利用氙灯准分子紫外光氧化方法和硬质掩膜版实现石墨烯薄膜微米结构图形图案化；步骤2：通过在石墨烯薄膜表面施加垂直方向的非均匀性磁场，控制氧激子沿磁场方向向石墨烯薄膜运动，增强其沿垂直方向对石墨烯薄膜刻蚀的方向性，提高石墨烯薄膜微米结构图案化质量；步骤3：通过调节磁场的强度和方向(譬如沿水平方向)，控制氧激子运动的方向性，调控刻蚀石墨烯薄膜图形结构的形状，达到调控石墨烯薄膜图案化目的。本发明中的方法能够实现和调控微米图形结构阵列，适宜于大面积石墨烯薄膜图案化、无光刻胶污染、成本较低、且图案化石墨烯薄膜质量高。
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