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公开(公告)号：CN119620506A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411823422.9
申请日：2024-12-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于钽酸锂上掺杂稀土元素铌酸锂波导的光放大器及制法，涉及光通信技术领域。包括自下而上依次层叠的钽酸锂衬底层、掺杂稀土元素薄膜铌酸锂器件层和上包层，掺杂稀土元素薄膜铌酸锂器件层设置有脊型波导，脊型波导的高度和宽度均为微米级别，且脊型波导的两端面分别耦合有光纤。本发明相比于目前报道的铌酸锂薄膜纳米波导光放大器，具有更大的模式体积和更长的有效波导长度，器件整体增益效果更大，饱和输出功率高。脊型波导与透镜光纤/高数值孔径光纤之间具有很好的模式匹配，有效地解决了同类纳米波导光放大器中耦合效率低、器件插损高、输出功率和饱和功率低的困难，大幅提升了性能并且降低了制作成本，更具备实际应用潜力。
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公开(公告)号：CN113612108B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110886456.2
申请日：2021-08-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于斜切非线性晶体脊型波导的频率转换器及其制备方法，涉及非线性光学和光通信领域，包括由上层非线性晶体薄膜层、中层二氧化硅缓冲层、下层晶体衬底层组成的复合结构，非线性晶体薄膜层上设置有脊型波导，该脊型波导的传输方向与非线性晶体光轴有一定的夹角。本发明利用双折射角度相位匹配方式，实现输入光在非线性晶体脊型波导中的非线性频率转换，并可以有效地避免寻常光和非常光的空间走离效应，由于不再需要对非线性晶体薄膜进行周期性畴极化，可极大地降低制备难度，并提高成品率，有助于推动非线性晶体薄膜片上集成平台的器件向实用化方向的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115980917A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310109828.X
申请日：2023-02-13
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开了一种微米级铌酸锂脊型波导，包括铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层以及称底层，所述铌酸锂薄膜层、所述二氧化硅缓冲层以及所述称底层依次层叠，所述铌酸锂薄膜层的厚度为1‑5微米。本申请还公开了制备微米级铌酸锂脊型波导的方法。该方法适用于1‑5微米厚度铌酸锂薄膜，采用紫外光刻结合干法刻蚀的制备铌酸锂脊型波导的方案，兼容于传统半导体工艺，具有低成本高效、可大规模制备、可直接大量应用等优势，对现有技术改动较小，却能达到很好的效果。
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公开(公告)号：CN116300245A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310008150.6
申请日：2023-01-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及光学频率转换领域，具体涉及一种基于铌酸锂脊型波导的光学频率上转换器。所述光学频率上转换器包括铌酸锂波导芯片、输入保偏光纤、输出光纤、温控基座；所述的铌酸锂脊型波导芯片最下层为衬底层，所述衬底层上沉积有二氧化硅缓冲层，所述二氧化硅缓冲层上为周期性极化铌酸锂脊型波导，金属电极通过蒸镀方法制备于所述周期性极化铌酸锂脊型波导的两侧，本发明利用铌酸锂电光和非线性效应，实现对光偏振态的调制的同时实现频率上转换，解决了二阶非线性光学过程偏振态敏感的难题，可实现实用化TE/TM偏振无关的波长转换器件。
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公开(公告)号：CN113612108A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110886456.2
申请日：2021-08-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于斜切非线性晶体脊型波导的频率转换器及其制备方法，涉及非线性光学和光通信领域，包括由上层非线性晶体薄膜层、中层二氧化硅缓冲层、下层晶体衬底层组成的复合结构，非线性晶体薄膜层上设置有脊型波导，该脊型波导的传输方向与非线性晶体光轴有一定的夹角。本发明利用双折射角度相位匹配方式，实现输入光在非线性晶体脊型波导中的非线性频率转换，并可以有效地避免寻常光和非常光的空间走离效应，由于不再需要对非线性晶体薄膜进行周期性畴极化，可极大地降低制备难度，并提高成品率，有助于推动非线性晶体薄膜片上集成平台的器件向实用化方向的应用。
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公开(公告)号：CN118033814A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410074655.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及集成光学领域，公开了一种基于掺杂绝缘体上铌酸锂波导的光放大器，包括衬底层、二氧化硅缓冲层、掺铒薄膜铌酸锂器件层，所述掺铒薄膜铌酸锂器件层、所述二氧化硅缓冲层以及所述衬底层依次层叠，所述掺铒薄膜铌酸锂器件层设置有脊型波导结构，所述脊型波导的高度和宽度均为微米级别。本发明还公开了制备基于掺杂绝缘体上铌酸锂波导的光放大器的方法。本发明提供的基于掺杂绝缘体上铌酸锂波导的光放大器，有效地解决了同类纳米波导光放大器中耦合效率低、器件插损高、输出功率和饱和功率低的困难，且具有更高的增益，与光纤直接兼容，可与微米级绝缘体上铌酸锂器件集成，波导芯片长度更短，封装后的器件尺寸小，实现更广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN115236881A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210728605.7
申请日：2022-06-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本申请公开了一种基于薄膜铌酸锂的电光偏振调制器，其特征在于，包括依次连接的第一单模光纤、输入光耦合器、电光调制移相区、输出双波导垂直接收耦合器，以及第二单模光纤，待调制光从第一单模光纤进入，经过输入光耦合器被耦合进入电光调制相移区，在电光调制移相区受到调制后，经过输出双波导垂直接收耦合器耦合进入第二单模光纤，并从第二单模光纤离开。本申请基于X切或Y切薄膜铌酸锂，电光调制区电场沿Z轴方向，有效利用铌酸锂材料优异的电光效应，使所述电光偏振调制器具有响应速度快、驱动电压低、功耗低等优势。相比引入长度为数百微米的偏振复用器件，极大提升了结构紧凑性，有利于实现器件小型化。
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