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公开(公告)号：CN101499503B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910046692.2
申请日：2009-02-26
Applicant: 上海交通大学 , 江苏林洋新能源有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体技术领域的非均匀铝背场太阳电池的制作方法。本发明采用的基底为P型硅片，三氯氧磷扩散形成PN结，正表面氮化硅钝化层及减反膜，正背表面银电极，硅片背表面钝化为非均匀铝背场，所述非均匀铝背场是利用非均匀丝网印刷网版印刷形成的。本发明采用非均匀铝背场设计进行电池工艺，减少了铝浆的用量，并保持铝背场应有的特性，在薄型硅片上的使用可以减少传统铝背场所带来的翘曲程度，避免再进一步电池加工和组件封装中可能造成的电池破损。本发明的非均匀铝背场可方便的在现有的太阳电池生产线实现，大大减小铝背场造成的硅片翘曲，并保持铝背场的基本作用不受影响。同时，减少铝浆使用量，降低太阳电池生产成本。
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公开(公告)号：CN101499503A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910046692.2
申请日：2009-02-26
Applicant: 上海交通大学 , 江苏林洋新能源有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种半导体技术领域的非均匀铝背场太阳电池的制作方法。本发明采用的基底为P型硅片，三氯氧磷扩散形成PN结，正表面氮化硅钝化层及减反膜，正背表面银电极，硅片背表面钝化为非均匀铝背场，所述非均匀铝背场是利用非均匀丝网印刷网版印刷形成的。本发明采用非均匀铝背场设计进行电池工艺，减少了铝浆的用量，并保持铝背场应有的特性，在薄型硅片上的使用可以减少传统铝背场所带来的翘曲程度，避免再进一步电池加工和组件封装中可能造成的电池破损。本发明的非均匀铝背场可方便的在现有的太阳电池生产线实现，大大减小铝背场造成的硅片翘曲，并保持铝背场的基本作用不受影响。同时，减少铝浆使用量，降低太阳电池生产成本。
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公开(公告)号：CN101976710A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010510107.2
申请日：2010-10-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/072 , H01L31/0368
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能应用技术领域的基于氢化微晶硅薄膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，结合了晶体硅与氢化硅基薄膜低温工艺和物性可调控的特点，可实现P型硅片表面的有效钝化和PN结制成，在硅片背表面采用原子层沉积(和等离子体增强的化学气相沉积)制备Al2O3或Al2O3/SiOx钝化膜，由于Al2O3薄膜中负电荷的密度高达1011cm-2，该钝化膜能降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件，从而提高电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101937944A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010267015.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种光伏发电技术领域的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法。包括①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构；②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在P型硅片的发射区表面制备氮化硅薄膜；⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；⑥采用丝网印刷背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。本发明降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件。
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