公开(公告)号：CN101976710A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010510107.2

申请日：2010-10-15

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孟凡英 ,  汪建强 ,  张松 ,  程雪梅 ,  韩涛 ,  司新文 ,  李翔 ,  黄建华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0368

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能应用技术领域的基于氢化微晶硅薄膜的晶体硅异质结太阳电池的制备方法，结合了晶体硅与氢化硅基薄膜低温工艺和物性可调控的特点，可实现P型硅片表面的有效钝化和PN结制成，在硅片背表面采用原子层沉积(和等离子体增强的化学气相沉积)制备Al2O3或Al2O3/SiOx钝化膜，由于Al2O3薄膜中负电荷的密度高达1011cm-2，该钝化膜能降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件，从而提高电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN101937944A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010267015.6

申请日：2010-08-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 孟凡英 ,  张松 ,  汪建强 ,  韩涛 ,  程雪梅 ,  司新文 ,  李翔 ,  黄建华

IPC: H01L31/18

Abstract: 一种光伏发电技术领域的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法。包括①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构；②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在P型硅片的发射区表面制备氮化硅薄膜；⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；⑥采用丝网印刷背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。本发明降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件。