-
公开(公告)号：CN100554498C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710037887.1
申请日：2007-03-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种多通道线圈过滤器离子复合镀膜装置，属于镀膜和材料表面改性领域。本发明装置包括：多通道自由开放式线圈过滤器，过滤器定形以及绝缘装置、过滤器定位装置和工件罩，所述的多通道自由开放式线圈过滤器具有两个或多个引导通道以及一个混合通道，两个或多个引导通道呈对称分布，它们的入口正对两个或多个阴极电弧靶、出口正对混合通道的入口，混合通道的出口正对工件，工件位于工件罩内，过滤器定形以及绝缘装置卡在上述过滤器中线圈的相邻匝之间，过滤器定位装置将该过滤器固定在真空炉内。本发明还提供了应用上述装置进行离子复合镀膜的方法。本发明实施简单、所得膜层表面光洁、成分和结构可控，可应用于光学及高精度镀膜领域。
-
公开(公告)号：CN107976362A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711384833.2
申请日：2017-12-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种三点弯曲夹具，包括：底座，在所述底座上设有固定凹槽，在所述底座上设有底座对中标记；支座，所述支座设置在所述底座上，在所述支座上设有检验机构；对中板，所述对中板的下部设置在所述固定凹槽内，在所述对中板上设有对齐中缝；上压头，所述上压头设置在所述支座的上方，所述上压头与所述对中板上部的内表面贴合，在所述上压头上设有底座上压头标记。与现有技术相比，本发明的有益效果如下：具有装置简单，操作快速便捷、对中精度高等优点，适用于不同尺寸的三点弯曲试件，具有很好的实践应用价值。
-
公开(公告)号：CN100460556C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610117883.X
申请日：2006-11-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/32
Abstract: 一种自由开放式线圈过滤器，属于镀膜和材料表面改性技术领域。本发明包括：线圈、线圈固定以及绝缘装置、线圈支撑装置和工件罩，线圈使用紫铜软管绕制，线圈固定以及绝缘装置将线圈相邻匝固定住，线圈支撑装置从线圈的中部托住，保证线圈能稳定放置在真空炉内，工件罩位于线圈出口，线圈的相邻匝之间保持3mm到20mm的距离，线圈的供电使用直流电源或者脉冲电源，线圈相对于阳极具有+20V的电位，线圈使用直接水冷方式。本发明具有实施简单、使用灵活的优点，可广泛适用于电子、工具、装饰等表面精密制造和高质量镀膜领域。
-
公开(公告)号：CN1296515C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200410018294.7
申请日：2004-05-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种自辉光等离子体基离子注入或者注入且沉积装置，用于材料表面改性领域。本发明包括：注入元素蒸发系统，注入元素导入系统，离化和注入或者注入且沉积系统，真空系统，注入元素蒸发系统连接到注入元素导入系统，注入元素导入系统再连接到离化和注入或者注入且沉积系统，离化和注入或者注入且沉积系统位于真空系统内部。本发明使得注入的整个过程都比较稳定且可以最大幅度降低对真空系统的污染；利用自辉光产生等离子体，不再需要额外的等离子激发装置，节约成本，利用空心阳极，大面积阴极技术形成聚焦电场，电子向阳极的聚焦，提高了辉光放电的离化率，提高了注入或者注入且沉积的效率。
-
公开(公告)号：CN1472360A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03129551.7
申请日：2003-06-26
Applicant: 上海交通大学 , 核工业西南物理研究院
IPC: C23C14/48
Abstract: 一种离子注入复合镀膜设备属于镀膜技术领域。本发明的气体离子源、金属离子源、直流磁控溅射靶源、中频脉冲磁控溅射靶源和两套直流磁过滤电弧离子镀源、六个源头共用一个真空室，并固定在复合镀膜机的外壳上，气体离子源垂直位于真空室上部的正中，金属离子源位于气体离子源的一侧，斜插于真空室上部，直流磁控溅射靶源和中频磁控溅射靶源、两个直流磁过滤电弧离子镀源则分布在二条对角线上，并位于真空室两侧偏上部位，六个源头的中心线汇聚在多用样品台工件上，真空抽气系统与真空室连接。本发明集几种材料表面改性技术于一体，一机多用，既降低了设备制造成本，又具有多功能效果，设备设计新颖，结构合理紧凑。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1128248C
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：CN01112669.8
申请日：2001-04-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C18/32
Abstract: 高致密度和高耐蚀性的化学镍磷镀膜工艺具体如下：①配制含有润湿剂及络合剂的去氧蒸馏水溶液，去氧蒸馏水溶液中使用的润湿剂为聚乙二醇，络合剂为柠檬酸三钠，②将溶液升温至40-70℃，③指定化学镀配方及工艺条件下对工件施镀，施镀时间的长短依据镀速来定，④施镀一段时间后，取出工件放入去氧蒸镏水溶液中对其表面去除氢气，对工件表面去氢时，水溶液在工件表面流动性要好，即在工件表面形成强水流流动，并尽可能减少工件在大气中滞留的时间，⑤重复工件施镀和除氢过程。
-
-
公开(公告)号：CN107976362B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201711384833.2
申请日：2017-12-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种三点弯曲夹具，包括：底座，在底座上设有固定凹槽，在底座上设有底座对中标记；支座，支座的数量为两个，两个支座间隔设置在底座上的固定凹槽的两侧；试件，试件放置于支座上，试件上设有试件对中标记；试件及支座上设有检验机构；对中板，对中板的下部设置在固定凹槽内，在对中板上设有对齐中缝；上压头，上压头设置在支座的上方，上压头与对中板上部的内表面贴合，在上压头上设有上压头对中标记；检验机构包括：限位槽，限位槽设置在两个支座的顶端及所述试件底端；对中尺，对中尺设置在限位槽内。与现有技术相比，本发明的有益效果如下：具有装置简单，操作快速便捷、对中精度高等优点，适用于不同尺寸的三点弯曲试件，具有很好的实践应用价值。
-
公开(公告)号：CN1295765C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200410016771.6
申请日：2004-03-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/368 , H01L31/0296 , C01B17/00 , C01B19/04
Abstract: 一种光伏半导体薄膜镀液及其制备方法，用于液相生长半导体薄膜技术领域。镀液为：CdCl20.07-5%，NH4NO30.1-4%，KOH 1-6%，CS(NH2)20.3-15%，聚乙二醇为0.1-1%，其余为去离子水。通过添加聚乙二醇的方式，制备了均匀致密的CdS薄膜。具体制备步骤进一步描述如下：基片依次经过丙酮、去离子水超声波清洗，烘干备用；溶液配置过程为在烧杯中依次加入CdCl2、KOH、NH4NO3溶液和聚乙二醇溶液搅拌均匀，利用KOH调节镀液到合适的pH值，放置20min；待溶液稳定后，水浴加热到60-90℃，加入事先配好的硫脲溶液，混合均匀后，竖直放入基片，镀膜过程开始；沉积结束后，通过超声波清洗的方式去除薄膜表面附着的CdS颗粒。在制备过程中无需强制搅拌，所制备CdS薄膜晶粒大小均匀、附着性好、光透过率高。
-
公开(公告)号：CN1804113A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610023448.0
申请日：2006-01-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种薄膜技术领域的调节磁控溅射反应气体分压制备Ti－Si－N膜的方法。本发明采用直流反应磁控溅射，溅射靶为Ti－Si镶嵌靶，工作气氛为氮气和氩气的混合气氛，Ti－Si镶嵌靶上Ti、Si有效溅射面积比固定，总工作气压固定，通过在0.002Pa－0.04Pa之间改变氮气分压，制备得到Ti－Si－N纳米复合膜。本发明可以简化原有的工艺方法，仅通过改变一种反应气体的气体分压就可方便地控制膜层的成分、微观组织结构和力学性能，具有较强的实用性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.017 seconds)
