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公开(公告)号：CN1096548A
公开(公告)日：1994-12-21
申请号：CN93112459.X
申请日：1993-06-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 金刚石单晶薄膜的制造方法，它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石单晶薄膜制造方法。在以氢气和丙酮为反应气体，用微波等离子体CVD或热丝CVD在 取向的金刚石衬底上进行同质外延过程中，采用在反应气体中添加适量氧气和惰性气体，同时对衬底进行研磨处理的工艺，结果能得到平整光滑的，结晶完整性好的 取向同质外延金刚石单晶薄膜。
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