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公开(公告)号：CN1256470C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200410016774.X
申请日：2004-03-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法，用于光电子材料领域。方法如下：采用铱坩埚为发热体，原料经焙烧后按比例进行称量；原料经称配，研混均匀后，压紧成块并高温烧结，烧结好的原料置于铱坩埚中，装炉；单晶炉抽高真空，用氧化锆作保温罩及保温材料，惰性气体保护，生长温度1900℃，提拉速度1.5mm/h，晶体转速25rpm，用蓝宝石片及刚玉片改善热场，将带有观察窗口的保温罩外引出一氧化铝泡沫砖，且泡沫砖和保温罩用镍铬丝紧密捆绑，石英片放置在泡沫砖上，并覆盖泡沫砖的观察窗口，刚玉片放置于上保温系统顶部。本发明有效防止了晶体开裂，不仅生长得到了完整b轴Tm：YAP晶体，晶体无色透明，外观良好，有优良的光学性能，也得到了a轴、c轴的完整晶体。
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公开(公告)号：CN1096548A
公开(公告)日：1994-12-21
申请号：CN93112459.X
申请日：1993-06-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 金刚石单晶薄膜的制造方法，它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石单晶薄膜制造方法。在以氢气和丙酮为反应气体，用微波等离子体CVD或热丝CVD在 取向的金刚石衬底上进行同质外延过程中，采用在反应气体中添加适量氧气和惰性气体，同时对衬底进行研磨处理的工艺，结果能得到平整光滑的，结晶完整性好的 取向同质外延金刚石单晶薄膜。
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公开(公告)号：CN1560329A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN200410016774.X
申请日：2004-03-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种掺铥铝酸钇激光晶体的生长方法，用于光电子材料领域。方法如下：采用铱坩埚为发热体，原料经焙烧后按比例进行称量；原料经称配，研混均匀后，压紧成块并高温烧结，烧结好的原料置于铱坩埚中，装炉；单晶炉抽高真空，用氧化锆作保温罩及保温材料，惰性气体保护，生长温度1900℃，提拉速度1.5mm/h，晶体转速25rpm，用蓝宝石片及刚玉片改善热场，将带有观察窗口的保温罩外引出一氧化铝泡沫砖，且泡沫砖和保温罩用镍铬丝紧密捆绑，石英片放置在泡沫砖上，并覆盖泡沫砖的观察窗口，刚玉片放置于上保温系统顶部。本发明有效防止了晶体开裂，不仅生长得到了完整b轴Tm：YAP晶体，晶体无色透明，外观良好，有优良的光学性能，也得到了a轴、c轴的完整晶体。
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公开(公告)号：CN1556261A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200410015657.1
申请日：2004-01-08
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺，属于光电子材料领域。本发明晶体的分子式为Tm：YAlO3，Tm3+为掺杂离子，其掺杂浓度在4－12at％，余量为基质YAP，即Y2O3和Al2O3的原子比为1∶1。工艺步骤如下：采用中频感应加热提拉法生长Tm：YAP晶体，发热体为铱坩埚，原料经焙烧后按比例称量；原料经称配，研混均匀后，在液压机下压紧成块并在1300℃的高温下烧结发生固相反应，烧结好的原料放在干燥箱内保存；用氧化锆作保温罩及保温材料，并用石英片封住观察窗口，采用惰性气体保护，生长温度1900℃，提拉速度1.5mm/h，晶体转速25rpm，生长Tm：YAP晶体。用本发明晶体制成的固体激光器转换效率高，对人眼安全，可用于军事雷达、生物医学、环境保护等诸多领域中。
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