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公开(公告)号：CN103232266B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310135193.7
申请日：2013-04-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅片表面制备氧化碳纳米管复合薄膜的方法，该方法包括，先对硅片进行表面清洗并进行羟基化处理，然后将其作为基底材料，再在其表面自组装氨基硅烷。将所得基片放入经强酸处理的碳纳米管分散液中，在其表面制备氧化碳纳米管复合薄膜。与现有技术相比，本发明工艺简单，成本低，可以提高硅基表面的抗磨损性能，为微机电系统中硅基表面处理的一种有效方法。
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公开(公告)号：CN102582148B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210034201.4
申请日：2012-02-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在钛合金基片表面制备磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的方法。该方法包括如下步骤：首先，将清洗后的钛合金片在氢氧化钾水溶液中进行羟基化处理；其次，在羟基化的钛合金表面采用自组装法制备硅烷薄膜；然后将基片放入稀土改性的碳纳米管悬浮液中，在其表面制备稀土改性碳纳米管薄膜。本发明方法简单，成本低，对环境无污染；制得的磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜界面结合牢固、摩擦系数低，具有较好的耐磨性能。
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公开(公告)号：CN104018145A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410257712.1
申请日：2014-06-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C23C20/06
Abstract: 本发明公开了一种钛合金表面石墨烯薄膜的制备方法，具体步骤包括：将医用钛合金进行放入piranha溶液中进行羟基化处理，然后放入氨基硅烷溶液中自组装硅烷薄膜；将氧化石墨烯粉末超声处理为稳定的氧化石墨烯胶体；将表面附有硅烷薄膜的钛合金浸入氧化石墨烯胶体中制备硅烷-氧化石墨烯薄膜；最后利用氢卤酸还原氧化石墨烯薄膜，干燥后得到还原氧化石墨烯复合薄膜。本发明工艺方法简单，对实验操作人员无危害，制得的薄膜完整性好，强度高，摩擦系数低，耐磨性优异，有望成为医用关节材料。
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公开(公告)号：CN102534575B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201110457923.6
申请日：2011-12-31
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种医用钛合金表面还原氧化石墨烯复合薄膜的制备方法，首先将清洗后的钛合金片在强碱性溶液中进行羟基化处理；再在其表面采用自组装法制备硅烷薄膜；然后将基片放入氧化石墨烯分散液中，在其表面制备氧化石墨烯复合薄膜；最后加热还原氧化石墨烯薄膜，制备成还原氧化石墨烯复合薄膜。与现有技术相比，本发明工艺简单，成本低，对环境无污染，制得的还原氧化石墨烯复合薄膜具有优秀的摩擦学性能，无生物毒性，可用于医用钛合金的表面改性处理。
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公开(公告)号：CN102534586B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210034168.5
申请日：2012-02-15
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在钛合金基片表面制备稀土改性还原氧化石墨烯复合薄膜的方法。该方法包括如下步骤：首先，将清洗后的钛合金片在氢氧化钠水溶液中进行羟基化处理；其次，在其表面采用自组装法制备硅烷薄膜；然后，将钛合金基片放入稀土改性的氧化石墨烯分散液中，在其表面制备稀土改性氧化石墨烯复合薄膜；最后，加热还原氧化石墨烯薄膜，制备成稀土改性还原氧化石墨烯复合薄膜。本发明方法简单，成本低，对环境无污染，制得的还原氧化石墨烯复合薄膜界面结合牢固、摩擦系数低，具有较好的耐磨性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103007285A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210529603.1
申请日：2012-12-10
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种叶酸修饰稀土改性碳纳米管的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)先将功能化处理后的碳纳米管在室温下浸入稀土改性剂中浸泡2～4小时，超声波分散1～3小时，过滤后烘干；(2)用二氯亚砜处理步骤(1)所得稀土改性碳纳米管，使稀土改性碳纳米管上的官能团羧基转换为酰氯，得到的酰氯化碳纳米管通过酯化反应接枝在聚合物聚乙二醇上；(3)采用叶酸对上述步骤(2)所得产物进行修饰处理，使其具有生物相容性。与现有技术相比，本发明具有无毒、增敏性能优异、具有良好分散性、生物相容性及靶向性等优点。
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公开(公告)号：CN106221698A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610585144.7
申请日：2016-07-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: C09K11/85
CPC classification number: C09K11/7794
Abstract: 本发明公开了一种NaYF4:Yb/Er上转换材料。该材料包含有Cr3+。其中，0mol％＜Cr3+的浓度≤20mol％；Cr3+的浓度的计算公式是：Cr3+的浓度＝Cr3+的摩尔数/(Y3+的摩尔数+Yb3+的摩尔数+Er3+的摩尔数+Cr3+的摩尔数)×100％。本发明还公开了一种该材料的制备方法，包括掺入Cr3+的操作。本发明所涉及的NaYF4:Yb/Er上转换材料的荧光强度较相同制备条件下未掺杂Cr3+的NaYF4:Yb/Er上转换材料的荧光强度高。同时，该制备方法具有设备简单、易于操作等特点，便于大规模生产和推广。
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公开(公告)号：CN103058710B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310011688.9
申请日：2013-01-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供了一种硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法；所述方法包括以下步骤：步骤一，将处理后的硅片清洗，烘干后，加入Piranha溶液中浸泡；步骤二，取出Piranha溶液中的硅片，清洗，烘干，加入硅烷溶液中进行自组装反应，得产物A；步骤三，取出产物A，清洗，烘干，得硅基表面带有氨基硅烷薄膜硅片；步骤四，将步骤三的产物放入经羧基化处理的氧化石墨烯溶液中，进行反应，得产物B；步骤五，取出产物B，清洗，烘干，保温，即得最终产物硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜。本发明制得的产品摩擦系数为0.18～0.22，磨损寿命大于2400秒，本发明工艺简单，成本低，为微机电系统中硅基零件的表面处理提供了方便。
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公开(公告)号：CN103058710A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310011688.9
申请日：2013-01-11
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明提供了一种硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜的制备方法；所述方法包括以下步骤：步骤一，将处理后的硅片清洗，烘干后，加入Piranha溶液中浸泡；步骤二，取出Piranha溶液中的硅片，清洗，烘干，加入硅烷溶液中进行自组装反应，得产物A；步骤三，取出产物A，清洗，烘干，得硅基表面带有氨基硅烷薄膜硅片；步骤四，将步骤三的产物放入经羧基化处理的氧化石墨烯溶液中，进行反应，得产物B；步骤五，取出产物B，清洗，烘干，保温，即得最终产物硅基表面羧基化氧化石墨烯自组装复合薄膜。本发明制得的产品摩擦系数为0.18～0.22，磨损寿命大于2400秒，本发明工艺简单，成本低，为微机电系统中硅基零件的表面处理提供了方便。
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