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公开(公告)号：CN111097401B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911187413.4
申请日：2019-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: B01J23/06 , B01J35/06 , B01J35/10 , B01J37/02 , C25B1/04 , C25B11/091 , A62D3/115 , A62D101/20
Abstract: 一种旋涂制备ZnO/TiO2异质结薄膜材料的方法，通过在TiO2纳米棒薄膜表面，控制旋涂醋酸锌‑乙醇溶液旋涂转速和旋涂次数，以控制ZnO晶种形成的均匀分布程度和密度，然后在水热条件下在ZnO晶种上生长ZnO纳米线，制备得到ZnO/TiO2异质材料具有鸟巢状结构。本发明得到的ZnO/TiO2薄膜，比表面积大，具有更高的光吸收性能、高的光电效率和电荷传输效率，可以广泛应用于光电催化产氢和光电催化降解有机物等领域。
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公开(公告)号：CN111097401A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911187413.4
申请日：2019-11-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种旋涂制备ZnO/TiO2异质结薄膜材料的方法，通过在TiO2纳米棒薄膜表面，控制旋涂醋酸锌-乙醇溶液旋涂转速和旋涂次数，以控制ZnO晶种形成的均匀分布程度和密度，然后在水热条件下在ZnO晶种上生长ZnO纳米线，制备得到ZnO/TiO2异质材料具有鸟巢状结构。本发明得到的ZnO/TiO2薄膜，比表面积大，具有更高的光吸收性能、高的光电效率和电荷传输效率，可以广泛应用于光电催化产氢和光电催化降解有机物等领域。
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公开(公告)号：CN111392822B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010284954.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C02F1/461 , C02F1/70 , C02F101/16
Abstract: 一种还原硝态氮的方法，将清洗过的泡沫铜片浸泡于含有氢氧化钠和过硫酸铵混合水溶液中，泡沫铜片表面原位生长Cu(OH)2纳米线，再经水清洗后，将修饰了Cu(OH)2纳米线的泡沫铜电极作为阴极、Pt作为对电极，置于含Pd2+的电解质溶液中，在碱性环境下外加偏电压‑1.0V进行电沉积反应，反应完成并用水清洗后得到Pd‑Cu(OH)2纳米线修饰泡沫铜。本发明的阴极基底选用泡沫铜，导电性优良，电子传输迅速，且泡沫铜具有电容双电层特征，有利于阴极表面吸附带负电的硝态氮阴离子，解决了阴离子与阴极相斥的问题；泡沫铜上原位生成Cu(OH)2纳米线，其比表面积大，能够吸附更多的硝态氮；在Cu(OH)2纳米线表面电沉积Pd催化剂以快速催化NO3‑还原为NH4+。上述原因共同加快了硝态氮还原NH4+的过程，提升了反应的选择性。
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公开(公告)号：CN111392822A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010284954.5
申请日：2020-04-13
Applicant: 上海交通大学
IPC: C02F1/461 , C02F1/70 , C02F101/16
Abstract: 一种还原硝态氮的方法，将清洗过的泡沫铜片浸泡于含有氢氧化钠和过硫酸铵混合水溶液中，泡沫铜片表面原位生长Cu(OH)2纳米线，再经水清洗后，将修饰了Cu(OH)2纳米线的泡沫铜电极作为阴极、Pt作为对电极，置于含Pd2+的电解质溶液中，在碱性环境下外加偏电压-1.0V进行电沉积反应，反应完成并用水清洗后得到Pd-Cu(OH)2纳米线修饰泡沫铜。本发明的阴极基底选用泡沫铜，导电性优良，电子传输迅速，且泡沫铜具有电容双电层特征，有利于阴极表面吸附带负电的硝态氮阴离子，解决了阴离子与阴极相斥的问题；泡沫铜上原位生成Cu(OH)2纳米线，其比表面积大，能够吸附更多的硝态氮；在Cu(OH)2纳米线表面电沉积Pd催化剂以快速催化NO3-还原为NH4+。上述原因共同加快了硝态氮还原NH4+的过程，提升了反应的选择性。
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