公开(公告)号：CN100999816A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200610147219.X

申请日：2006-12-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 钟晓霞 ,  周威 ,  束奇伟 ,  夏宇兴

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

Abstract: 一种低温下制备锐钛矿晶相二氧化钛薄膜的方法，属于宽禁带半导体光催化科技领域。本发明通过反应磁控溅射在基材上沉积二氧化钛膜，在沉积过程中基材所在基底不加热且通过水冷系统冷却，氩气流量保持在30sccm，调节氩气与氧气的流量比在10∶1至5∶1之间，调节总气压在1Pa－4Pa之间，调节功率密度在1.4W/cm2－2.8W/cm2之间，在基底上加上负偏压在20V－100V之间，然后开始直流反应磁控溅射成膜，在沉积薄膜的过程中，腔体内等离子体中大量氩正离子在基底偏压的驱动下对沉积过程中的二氧化钛薄膜进行有效轰击，基底温度始终低于80℃，最终实现在不耐热的基材上制备具有光致活性的锐钛矿晶相二氧化钛薄膜。

公开(公告)号：CN100465332C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200610147219.X

申请日：2006-12-14

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 钟晓霞 ,  周威 ,  束奇伟 ,  夏宇兴

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

Abstract: 一种低温下制备锐钛矿晶相二氧化钛薄膜的方法，属于宽禁带半导体光催化科技领域。本发明通过反应磁控溅射在基材上沉积二氧化钛膜，在沉积过程中基材所在基底不加热且通过水冷系统冷却，氩气流量保持在30sccm，调节氩气与氧气的流量比在10∶1至5∶1之间，调节总气压在1Pa-4Pa之间，调节功率密度在1.4W/cm2-2.8W/cm2之间，在基底上加上负偏压在20V-100V之间，然后开始直流反应磁控溅射成膜，在沉积薄膜的过程中，腔体内等离子体中大量氩正离子在基底偏压的驱动下对沉积过程中的二氧化钛薄膜进行有效轰击，基底温度始终低于80℃，最终实现在不耐热的基材上制备具有光致活性的锐钛矿晶相二氧化钛薄膜。