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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111965761B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010831570.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，该光栅耦合器包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。本装置耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。
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公开(公告)号：CN111505767A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010347303.6
申请日：2020-04-28
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于氧化硅掩膜的铌酸锂光子芯片制备方法，利用等离子体增强气相沉积法沉积得到用于保护铌酸锂图案的二氧化硅掩膜层，然后依次涂设导电胶和光刻胶并通过电子束光刻得到所需图案，实现亚微米级的脊状波导的制备，再通过反应离子刻蚀以及采用氩离子刻蚀铌酸锂，形成带有二氧化硅掩膜的铌酸锂图案层和脊状波导。本发明能够实现宽度在亚微米量级的传输损耗低的片上脊状波导且具有较高的加工效率、加工精度高和加工可控性，可用于制备的侧壁光滑度高、光学传输损耗低的光学波导及其他相关的片上微纳光学元件。
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公开(公告)号：CN111965761A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010831570.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器及其制造方法，该光栅耦合器包括：基于铌酸锂薄膜材料的光栅耦合器，包括：绝缘体上铌酸锂光子芯片以及设置于其上方的光纤，该绝缘体上铌酸锂光子芯片由上而下依次包括：汇聚型光栅耦合机构、二氧化硅埋层和硅衬底。本装置耦合效率较高且具有较大的工作波长带宽，便于大规模集成和用于对铌酸锂光子集成芯片上的器件进行性能测试。
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公开(公告)号：CN111898741A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010771043.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于铌酸锂的片上级联MZI可重构量子网络架构，包括：作为神经网络输入层的输入波导阵列、与输入波导阵列光连接且作为神经网络隐藏层的若干MZI、可饱和吸收器阵列、非线性光学单元以及作为神经网络输出层的探测器阵列，MZI之间相互连接并根据第一阵列光信号线性转换为第二阵列光信号，可饱和吸收器阵列可饱和吸收器阵列中的每个可饱和吸收器接收第二阵列光信号中的相应光信号并将其非线性地转换为第三阵列光信号并由探测器阵列探测得到；本发明解决现有基于光子集成电路的片上相干光学神经形态计算技术问题，以通用、可重构的量子光学神经网络克服微电子和混合光学电子实现中计算效率和功耗的局限性。
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