一种金属表面原位局部腐蚀系统及其使用方法

    公开(公告)号:CN119437852A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411640060.X

    申请日:2024-11-18

    Inventor: 周业超 徐武

    Abstract: 本发明涉及一种金属表面原位局部腐蚀系统及其使用方法。所述金属表面原位局部腐蚀系统用于对金属结构进行局部腐蚀,包括:安装于金属结构被腐蚀面的腐蚀环境仓;用于透过腐蚀环境仓观察金属结构的光学显微镜;用于提供腐蚀液的腐蚀溶液池;用于将腐蚀溶液池中的腐蚀液输入腐蚀环境仓的蠕动泵;用于向腐蚀环境仓输入空气的空气泵;用于回收腐蚀液的腐蚀废液池;设于腐蚀环境仓的出液口与腐蚀废液池之间的电磁阀;用于控制光学显微镜、蠕动泵、空气泵和电磁阀的控制模块。与现有技术相比,本发明可以在被测试的金属结构表面形成局部腐蚀环境,并对金属结构局部腐蚀进行原位观测。

    铜离子半抗原青霉烯酸硫醇铜盐及其制备方法

    公开(公告)号:CN101830860A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010186178.1

    申请日:2010-05-28

    Abstract: 一种化学合成技术领域的铜离子半抗原青霉烯酸硫醇铜盐及其制备方法。其结构式如下:,其中:R为C6H5-CH2-。制备方法:步骤一,在咪唑的催化作用下,将青霉素G钠盐与氯化铜反应。步骤二,纯化反应产物,制备得到青霉烯酸硫醇铜盐。本发明反应体系及操作方法简单,制备反应步骤少。最终产物可作为铜离子的半抗原。半抗原分子中有相邻的铜离子、恶唑酮环和苯环三个抗原决定簇,免疫原性强;金属离子完全暴露在半抗原分子表面,在免疫反应中可以与抗体进行直接的物理接触。

Patent Agency Ranking