频域线性相移可调光延时系统

    公开(公告)号:CN102749782A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210225789.1

    申请日:2012-07-03

    Abstract: 一种频域线性相移可调光延时系统,包括沿光路依次设置的频率分割器、线性移相器和频率合成器,所述的频率分割器把光信号在频域上等间隔地分割成多个信道信号,每个信道经过所述的线性移相器进行相位平移,不同信道之间的相移量呈线性关系,所述的频率合成器将所有信道的信号合成为一个信号。本发明利用了光的信号处理,突破了传统光延时线的延时-带宽积限制,对实现高带宽、大延时的可调光延时线具有重要的意义。

    基于耦合光波导的可调光延时线

    公开(公告)号:CN102681091A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210106101.8

    申请日:2012-04-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于耦合光波导的可调光延时线,由两根互相平行或垂直的光波导构成,当两根波导相互靠近至0.3-0.8µm时,通过倏逝波互相耦合。它主要由两根具有不同色散曲线的光波导所组成,且两波导的色散曲线在相位匹配的波长节点处相交。两根波导相互耦合,耦合模的群速度在交点处经历了快速的跳变,产生延时,通过热光效应的调节,光信号可在较大范围内达到低失真传输及延时可调的效果。

    基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法

    公开(公告)号:CN103197376A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310047054.9

    申请日:2013-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于多晶硅掩膜的硅波导膜制备方法,包括如下步骤:准备好洁净的绝缘体上硅(SOI)基底,进行一次干氧氧化生成薄二氧化硅膜,在二氧化硅膜上生长一层较厚的多晶硅膜,对多晶硅膜进行涂胶、光刻、刻蚀得到多晶硅掩膜,对样品进行氧化,去除氧化硅与多晶硅,得到硅波导。本发明中的硅波导侧壁光滑、陡直度较好、底部与顶部平整,整个工艺流程简单方便,工艺成本较低。

    硅基集成啁啾光栅可调光延迟线

    公开(公告)号:CN102955267A

    公开(公告)日:2013-03-06

    申请号:CN201210444561.1

    申请日:2012-11-08

    Abstract: 本发明公开了一种硅基集成啁啾光栅可调光延迟线,包括在绝缘体上硅基底上两个重掺杂区域及该两个重掺杂区域之间的本征区的光波导变迹光栅,所述的两个重掺杂区域为p型和n型重掺杂区域或p型和p型重掺杂区域,形成p-i-n结或p-i-p结构形式,所述的光波导变迹光栅是由高折射率差的硅基材料构成,中间为常规硅波导,旁边为硅锯齿和空气缝相间形成的光栅,在所述的p型重掺杂区域和n型重掺杂区上淀积金属电极,用来和外部电路相连以加载电压。通过改变外加电压可以改变光栅的啁啾量,实现对光信号延迟量的动态调节,具有加工简单,调节迅速,可调范围大等优点。

    反射型可调光延迟线
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103064199A

    公开(公告)日:2013-04-24

    申请号:CN201210529198.3

    申请日:2012-12-10

    Abstract: 一种反射型可调光延迟线,包括光延迟结构和光反射结构串联构成,输入的光信号由所述的光延迟结构的输入端输入经光延迟后输入所述的光反射结构经反射后,再返回所述的光延迟结构,再一次经所述的光延迟结构光延迟后从所述的光延迟结构的输入端输出延时后的光信号。本发明通过调节光学延迟结构的相位或者耦合变化,实现光信号延迟量的连续可调,具有结构简单、体积小、带宽高的优点,在利用热光效应或者等离子色散效应进行延迟调节时,由于每个光学延迟结构有复用的效果,因此也较大幅度的减小了延迟调节功耗。

    一种硅波导折射率热光调节结构

    公开(公告)号:CN103018929A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210517470.6

    申请日:2012-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种硅波导折射率热光调节结构,从下至上依次包括衬底、下包层、波导层、上包层和电极层;所述的波导层呈脊型,脊型中央区为轻掺杂的本征i区,两侧平板区分别为重掺杂区;所述的上包层两侧设有金属通孔,通过该通孔使波导层的重掺杂区与电极层相连。在外部电源通电注入电流后,波导层产生热量,波导芯区温度升高,折射率升高,从而实现热光调节效果,本发明利用波导层作为热电阻产生热量,热源与光场直接作用,相对于传统采用金属电阻的热光调节结构,具有功耗更低、响应时间更短的特点。

    基于多晶硅掩膜的硅波导制备方法

    公开(公告)号:CN103197376B

    公开(公告)日:2015-05-13

    申请号:CN201310047054.9

    申请日:2013-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于多晶硅掩膜的硅波导膜制备方法,包括如下步骤:准备好洁净的绝缘体上硅(SOI)基底,进行一次干氧氧化生成薄二氧化硅膜,在二氧化硅膜上生长一层较厚的多晶硅膜,对多晶硅膜进行涂胶、光刻、刻蚀得到多晶硅掩膜,对样品进行氧化,去除氧化硅与多晶硅,得到硅波导。本发明中的硅波导侧壁光滑、陡直度较好、底部与顶部平整,整个工艺流程简单方便,工艺成本较低。

    前馈式可调光延迟线
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103278889A

    公开(公告)日:2013-09-04

    申请号:CN201310250466.2

    申请日:2013-06-21

    Abstract: 一种前馈式可调光延迟线,包括多个依次串联的马赫-曾德尔干涉器,本级的马赫-曾德尔干涉器的一路输出端与下一级的马赫-曾德尔干涉器的输入端之间以长波导相连,本级的马赫-曾德尔干涉器的另一输出端与下一级的马赫-曾德尔干涉器的另一输入端以短波导相连;相邻两个马赫-曾德尔干涉器之间的光波导上还设有一对可调光衰减器。本发明中光信号在波导传播中未经过谐振结构,通过切换光信号的传播路径,实现以某一基准延时量为单位延时的连续调节,同时利用可调光衰减器抑制光波导上的串扰,从而最大程度的提高了延时带宽积。

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