公开(公告)号：CN119836197A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510018879.0

申请日：2025-01-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 仰志斌 ,  孙敬林 ,  俞超

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K71/00 ,  H10K30/50 ,  H10K30/85 ,  H10K30/86 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明公开了一种基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法，以及由此制备的窄带隙钙钛矿薄膜、单结窄带隙钙钛矿模组和全钙钛矿叠层模组。本发明使用含吡啶的混合溶剂体系，其中吡啶和二价锡离子之间有着更强的配位作用，可以有效地形成强电子供体‑受体配合物中间相，通过改变热力学过程来调节晶体生长过程。此外，吡啶具有较高的饱和蒸汽压，同时结合创新的真空辅助退火的方法，通过改变动力学过程来调节了钙钛矿相转化速率。最终，获得了均匀致密的窄带隙钙钛矿薄膜，相应的10.4cm2的全钙钛矿叠层太阳能组件获得了22.9％的光电转化效率。