一种提升宽带隙钙钛矿相稳定性的钝化方法

    公开(公告)号:CN119894335A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202510051778.3

    申请日:2025-01-13

    Inventor: 仰志斌 文天宇

    Abstract: 本发明属于钙钛矿材料技术领域,具体涉及一种提升宽带隙钙钛矿相稳定性的钝化方法,其中,通过直接将苯甲酸钠、苯甲酸钾等一系列钝化剂溶解在钙钛矿前驱液中,按照钙钛矿器件常规的旋涂工艺进行制备,即可得到光照相稳定性优异的宽带隙钙钛矿薄膜和电池器件。另一方面,钝化剂中的阴离子部分可以结合在钙钛矿晶界和晶体表面处,起到表面和界面的缺陷钝化作用。这种新颖且简单的钝化策略可以显著提高宽带隙钙钛矿光伏器件的光电转换效率及光照相稳定性。

    一种钙钛矿薄膜和电子传输层之间的界面钝化方法

    公开(公告)号:CN118215372A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410370525.8

    申请日:2024-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜和电子传输层之间的界面钝化方法以及钙钛矿太阳电池的制备方法。采用本申请的钝化方法,杂环胺类分子能够有效钝化钙钛矿表面的两类深能级缺陷,抑制载流子非辐射复合;供电子基团与钙钛矿薄膜表面的作用降低钙钛矿表面的导、价带位置,使得其与C60电子传输层的能级更为匹配,从而提升电子的抽提效率;同时,钙钛矿电池器件的开路电压均有明显提升。

    基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN119836197A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510018879.0

    申请日:2025-01-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于溶剂工程的大面积锡基窄带隙钙钛矿薄膜制备方法,以及由此制备的窄带隙钙钛矿薄膜、单结窄带隙钙钛矿模组和全钙钛矿叠层模组。本发明使用含吡啶的混合溶剂体系,其中吡啶和二价锡离子之间有着更强的配位作用,可以有效地形成强电子供体‑受体配合物中间相,通过改变热力学过程来调节晶体生长过程。此外,吡啶具有较高的饱和蒸汽压,同时结合创新的真空辅助退火的方法,通过改变动力学过程来调节了钙钛矿相转化速率。最终,获得了均匀致密的窄带隙钙钛矿薄膜,相应的10.4cm2的全钙钛矿叠层太阳能组件获得了22.9%的光电转化效率。

    2D-3D结构高稳定性宽带隙钙钛矿薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118234345A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410330735.4

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种2D‑3D结构高稳定性宽带隙钙钛矿薄膜及其制备方法和应用,涉及太阳能电池技术领域,包括如下步骤:配置钙钛矿前驱液和不同浓度的大分子有机铵盐溶液;将[2‑(9H‑咔唑‑9‑基)乙基]膦酸涂覆到氧化镍薄膜上并加热退火,得到复合空穴传输薄膜;将钙钛矿前驱体溶液涂覆到复合空穴传输薄膜上,在倒数第10秒的时候滴入反溶剂氯苯,促进钙钛矿薄膜结晶,并加热退火,形成高质量三维宽带隙钙钛矿薄膜活性层;不同浓度的大分子有机铵盐溶液涂覆在三维宽带隙钙钛矿薄膜活性层表面,加热退火,即得2D‑3D结构稳定的宽带隙钙钛矿薄膜。本发明方法可抑制宽带隙钙钛矿的光照相分离,降低缺陷态密度,提升器件的开路电压和长期光照稳定性。

    一种pH改性的PEDOT:PSS与PTAA复合空穴传输薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114975788A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210555227.7

    申请日:2022-05-20

    Inventor: 仰志斌 周杰

    Abstract: 本发明公开了一种pH改性的PEDOT:PSS与PTAA复合空穴传输薄膜及其制备方法和应用,涉及太阳能电池领域,pH改性范围为1.5‑13,PTAA薄膜覆盖在改性的PEDOT:PSS薄膜上,形成pH改性的PEDOT:PSS与PTAA复合空穴传输薄膜。通过加入碱性试剂中和酸性,可以提高钙钛矿的界面稳定性;复合高分子PTAA可以提高钙钛矿的结晶度并降低缺陷态密度,从而降低载流子的复合,提升器件的开路电压和短路电流。

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