公开(公告)号：CN105098151A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510349914.3

申请日：2015-06-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 高濂 ,  孙壮 ,  宋雪峰 ,  张鹏 ,  姚钰宸

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01M4/5815 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼-碳空心球杂化材料，该二硫化钼-碳空心球杂化材料具有空心球的结构，单层或少层二硫化钼纳米片嵌入在碳材料中形成的杂化材料为空心球的壳层。本发明还公开了一种上述二硫化钼-碳空心球杂化材料的制备方法，包括多个步骤，以氨基改性二氧化硅颗粒做模板，然后将有机热解碳原料与四硫代钼酸铵通过溶剂热反应包覆模板，在惰性气氛下高温处理，最后将二氧化硅模板去除，即可得到本发明的二硫化钼-碳空心球杂化材料。本发明的二硫化钼-碳空心球杂化材料首次嵌锂容量接近1010mAh/g，比容量在40次反复充放电循环后仍可保持在662mAh/g。

公开(公告)号：CN105098151B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510349914.3

申请日：2015-06-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 高濂 ,  孙壮 ,  宋雪峰 ,  张鹏 ,  姚钰宸

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼‑碳空心球杂化材料，该二硫化钼‑碳空心球杂化材料具有空心球的结构，单层或少层二硫化钼纳米片嵌入在碳材料中形成的杂化材料为空心球的壳层。本发明还公开了一种上述二硫化钼‑碳空心球杂化材料的制备方法，包括多个步骤，以氨基改性二氧化硅颗粒做模板，然后将有机热解碳原料与四硫代钼酸铵通过溶剂热反应包覆模板，在惰性气氛下高温处理，最后将二氧化硅模板去除，即可得到本发明的二硫化钼‑碳空心球杂化材料。本发明的二硫化钼‑碳空心球杂化材料首次嵌锂容量接近1010mAh/g，比容量在40次反复充放电循环后仍可保持在662mAh/g。

公开(公告)号：CN104934602B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510349912.4

申请日：2015-06-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 高濂 ,  孙壮 ,  宋雪峰 ,  张鹏 ,  姚钰宸

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/62

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/碳复合材料，包括二硫化钼层和碳空心球，所述二硫化钼层位于所述碳空心球的外部，所述碳空心球具有空心结构。本发明还公开了一种上述二硫化钼/碳复合材料的制备方法，包括多个步骤，以氨基改性二氧化硅球做模板，然后通过热解有机碳源包覆模板，再将其与四硫代钼酸铵通过溶剂热反应，在惰性气氛下高温碳化，最后将氧化硅模板去除，即可得到本发明的二硫化钼/碳复合材料。本发明的二硫化钼/碳复合材料首次嵌锂容量为1467mAh/g，比容量在30次反复充放电循环后仍可保持在733mAh/g。

公开(公告)号：CN104934602A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510349912.4

申请日：2015-06-19

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 高濂 ,  孙壮 ,  宋雪峰 ,  张鹏 ,  姚钰宸

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/62

CPC classification number: H01M4/5815 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/碳复合材料，包括二硫化钼层和碳空心球，所述二硫化钼层位于所述碳空心球的外部，所述碳空心球具有空心结构。本发明还公开了一种上述二硫化钼/碳复合材料的制备方法，包括多个步骤，以氨基改性二氧化硅球做模板，然后通过热解有机碳源包覆模板，再将其与四硫代钼酸铵通过溶剂热反应，在惰性气氛下高温碳化，最后将氧化硅模板去除，即可得到本发明的二硫化钼/碳复合材料。本发明的二硫化钼/碳复合材料首次嵌锂容量为1467mAh/g，比容量在30次反复充放电循环后仍可保持在733mAh/g。