公开(公告)号：CN113206067B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110483124.X

申请日：2021-04-30

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 卢振 ,  周亮 ,  张成瑞 ,  毛军发

IPC: H01L23/66 ,  H03F1/26 ,  H03F3/195

Abstract: 本发明提供了一种高功率防护电路及其制备方法，包括PIN限幅器、低噪声放大器、硅基，PIN限幅器的输出端与低噪声放大器的输入端通过接地共面波导相连接；PIN限幅器的输入端与低噪声放大器的输出端通过接地共面波导形成GSG结构，信号经过限幅器进入低噪声放大器；PIN限幅器和低噪声放大器安置在硅基的凹槽内，涂覆一层BCB作为介质，在BCB上制作金属层形成电气连接和输入输出结构。本发明封装后的防护模块尺寸小，信号传输性能优异，能有效提升低噪声放大器对高功率微波的防护能力。采用BCB埋置封装工艺减小了引线长度，降低了防护模块的插损。通过在低噪声放大器输入端放置PIN限幅器，可提升低噪声放大器的损毁阈值。

公开(公告)号：CN113206067A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110483124.X

申请日：2021-04-30

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 卢振 ,  周亮 ,  张成瑞 ,  毛军发

IPC: H01L23/66 ,  H03F1/26 ,  H03F3/195

Abstract: 本发明提供了一种高功率防护电路及其制备方法，包括PIN限幅器、低噪声放大器、硅基，PIN限幅器的输出端与低噪声放大器的输入端通过接地共面波导相连接；PIN限幅器的输入端与低噪声放大器的输出端通过接地共面波导形成GSG结构，信号经过限幅器进入低噪声放大器；PIN限幅器和低噪声放大器安置在硅基的凹槽内，涂覆一层BCB作为介质，在BCB上制作金属层形成电气连接和输入输出结构。本发明封装后的防护模块尺寸小，信号传输性能优异，能有效提升低噪声放大器对高功率微波的防护能力。采用BCB埋置封装工艺减小了引线长度，降低了防护模块的插损。通过在低噪声放大器输入端放置PIN限幅器，可提升低噪声放大器的损毁阈值。