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公开(公告)号：CN107923034B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103903952A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310733719.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/32798 , C01B33/02 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等离子蚀刻装置的反应室内部，也不会因等离子蚀刻而提前损耗，且能够抑制粒子的产生。本发明的等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、准单晶硅或单晶硅中的任一种构成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范围内的硼作为掺杂剂。
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公开(公告)号：CN115279688A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202180021546.3
申请日：2021-02-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01B17/26 , H01M6/18 , H01M10/0562
Abstract: 硫化锂的制造方法包括：准备工序(步骤S12)，将原料和还原剂投入到炉中，所述原料以具有到120℃为止重量减少5％以上且25％以下的特性的硫酸锂为主成分；及升温工序(步骤S14)，在炉中，将原料和还原剂进行加热以使其升温。
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公开(公告)号：CN116917228A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018642.7
申请日：2022-03-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C01B17/24
Abstract: 提供一种无副产物且离子电导率高的硫化锂的更合适的制造方法。硫化锂的制造方法包括如下升温工序(步骤S14)：将投入到炉中的硫酸锂在减压至0.05MPa以下的气氛下，在加热至高于700℃的温度的状态下进行还原。
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公开(公告)号：CN107923034A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048552.7
申请日：2016-08-03
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , C25C7/02 , C25C1/12 , C22C9/01 , C22C9/10 , C22F1/08 , C22B15/14 , C22C9/06 , C22C9/08 , C22F1/00
Abstract: 本发明提供一种高纯度铜溅射靶材。本发明的高纯度铜溅射靶材的特征在于，除了O、H、N、C以外的Cu的纯度被设为99.99998质量％以上，Al的含量被设为0.005质量ppm以下，Si的含量被设为0.05质量ppm以下，Fe的含量被设为0.02质量ppm以下，S的含量被设为0.03质量ppm以下，Cl的含量被设为0.1质量ppm以下，O的含量被设为1质量ppm以下，H的含量被设为1质量ppm以下，N的含量被设为1质量ppm以下，C的含量被设为1质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN103903952B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201310733719.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/32798 , C01B33/02 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等离子蚀刻装置的反应室内部，也不会因等离子蚀刻而提前损耗，且能够抑制粒子的产生。本发明的等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、准单晶硅或单晶硅中的任一种构成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范围内的硼作为掺杂剂。
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