公开(公告)号：CN113677822A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202080023096.7

申请日：2020-03-11

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林雄二郎 ,  近藤佑一 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  C22C1/05 ,  C22C1/10 ,  C22C30/00

Abstract: 一种溅射靶，其含有Ge、Sb及Te，该溅射靶中，C含量在0.2原子％以上且10原子％以下的范围内，并且氧含量以质量比计为1000ppm以下，在Ge‑Sb‑Te相(11)中分散有碳粒子(12)，碳粒子(12)的平均粒径在超过0.5μm且5.0μm以下的范围内。

公开(公告)号：CN113166922A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980077161.1

申请日：2019-12-05

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 岁森悠人 ,  野中庄平 ,  小见山昌三 ,  林雄二郎

IPC: C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

Abstract: 本发明以0.10原子％以上且5.00原子％以下的范围含有Cu，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。

公开(公告)号：CN112739847A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980061500.7

申请日：2019-11-20

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林雄二郎 ,  近藤佑一 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34 ,  C22C12/00 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明的溅射靶含有Ge、Sb及Te，并具有氧浓度高的高氧区域(11)和氧浓度低于该高氧区域(11)的低氧区域(12)，且具有低氧区域(12)在高氧区域(11)的基质内以岛状分散的组织。在溅射靶中，直径0.5μm以上且5.0μm以下的空隙也可以以平均密度计在0.12mm2的范围内存在两个以上且十个以下的范围内。

公开(公告)号：CN108886857A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780018466.6

申请日：2017-03-22

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 中泽弘实 ,  石井博 ,  岁森悠人 ,  斋藤淳 ,  林雄二郎

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的层叠反射电极膜具有：Ag膜，由Ag或Ag合金构成；及透明导电氧化物膜，配置于所述Ag膜上，所述透明导电氧化物膜由氧化物构成，所述氧化物包含Zn和Ga，还包含Sn、Y及Ti中的一种或两种以上。

公开(公告)号：CN114761608A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082938.6

申请日：2020-11-26

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林雄二郎 ,  小见山昌三

IPC: C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14 ,  C23C14/34 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/26

Abstract: 该Ag合金膜由包含In及Ge的Ag合金构成，在表面侧具有浓集有In及Ge的InGe浓集部。所述Ag合金优选含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In和0.1质量％以上且7.5质量％以下的Ge，并且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。

公开(公告)号：CN108886857B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201780018466.6

申请日：2017-03-22

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 中泽弘实 ,  石井博 ,  岁森悠人 ,  斋藤淳 ,  林雄二郎

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

Abstract: 本发明的层叠反射电极膜具有：Ag膜，由Ag或Ag合金构成；及透明导电氧化物膜，配置于所述Ag膜上，所述透明导电氧化物膜由氧化物构成，所述氧化物包含Zn和Ga，还包含Sn、Y及Ti中的一种或两种以上。

公开(公告)号：CN114761609A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080083116.X

申请日：2020-11-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林雄二郎 ,  小见山昌三

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

Abstract: 该Ag合金溅射靶的特征在于，由如下组成的Ag合金构成：含有Ge、In及S且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，所述Ag合金中的S的含量为1质量ppm以上且150质量ppm以下。所述Ag合金优选在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge。

公开(公告)号：CN113227444A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085376.8

申请日：2019-10-01

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 近藤佑一 ,  林雄二郎 ,  小路雅弘

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的溅射靶的特征在于，包含75mol％以上的由Ge、Sb及Te构成的金属互化物，所述金属互化物的微晶直径为以上且以下。本发明的溅射靶也可以包含选自B、C、In、Ag、Si、Sn及S中的一种以上的添加元素，所述添加元素的合计含量为25mol％以下。

公开(公告)号：CN113166921A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076856.8

申请日：2019-12-05

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 岁森悠人 ,  野中庄平 ,  小见山昌三 ,  林雄二郎

IPC: C23C14/14 ,  C22C5/06 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  C22F1/00 ,  C22F1/14

Abstract: 本发明以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。

公开(公告)号：CN111587300A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201980007189.8

申请日：2019-02-19

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林雄二郎 ,  小见山昌三

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明的Ag合金溅射靶的特征在于，具有如下组成：在合计0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In及Sn中的至少一种以上，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，在Ar气体压力0.1Pa、电流密度1.5W/cm2、累计电量0.01kWh/cm2的条件下实施溅射后的靶溅射面的算术平均表面粗糙度Ra设为7μm以下。