公开(公告)号：CN113412167B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202080009871.3

申请日：2020-02-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 村冈秀 ,  林浩志 ,  中山翔太 ,  木村裕辅

IPC: B09B5/00

Abstract: 一种废电子基板的处理方法，其特征在于，将废电子基板与钙化合物一起在非氧化气氛下、在400℃～600℃进行干馏，而将包含于该基板中的卤素固定化为卤化钙，并熔融该基板的焊料而使安装件容易从该基板脱落，并且在进行该干馏后进行破碎，通过将其破碎物筛分为包含钙化合物的小于0.5mm的细颗粒、包含安装件的中颗粒、包含基板片的粗颗粒而分选成钙化合物、安装件及基板片。

公开(公告)号：CN115349181A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202180023158.9

申请日：2021-03-22

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 新井皓也 ,  霍姆普努特·维拉赛瑞尼 ,  中山翔太

IPC: H01L35/16 ,  C01B19/04

Abstract: 在该热电转换材料中，将Cu及Se作为主成分，还包含元素M和根据需要的Te，该元素M含有选自第10族元素及除了Cu以外的第11族元素中的一种或两种以上的元素，该热电转换材料由以下化学式表示。化学式：CuxSe(1‑y)TeyMZ，1.95≤x＜2.05，0≤y≤0.1，0.002≤z≤0.03。

公开(公告)号：CN113412167A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202080009871.3

申请日：2020-02-21

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 村冈秀 ,  林浩志 ,  中山翔太 ,  木村裕辅

IPC: B09B5/00

Abstract: 一种废电子基板的处理方法，其特征在于，将废电子基板与钙化合物一起在非氧化气氛下、在400℃～600℃进行干馏，而将包含于该基板中的卤素固定化为卤化钙，并熔融该基板的焊料而使安装件容易从该基板脱落，并且在进行该干馏后进行破碎，通过将其破碎物筛分为包含钙化合物的小于0.5mm的细颗粒、包含安装件的中颗粒、包含基板片的粗颗粒而分选成钙化合物、安装件及基板片。