公开(公告)号：CN1330402A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01103488.2

申请日：2001-02-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  花王株式会社

Inventor： 村中诚志 ,  菅野至 ,  代田真美 ,  近藤纯二

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G03F7/32

Abstract: 用单一的药液除去全部A1布线工序等中的抗蚀剂残渣。作为抗蚀剂除去或抗蚀剂残渣除去的处理液,使用含有有机酸或其盐和水且pH值小于8的药液。

公开(公告)号：CN1271767A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN00106995.0

申请日：2000-04-27

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  岸本产业株式会社

Inventor： 菅野至 ,  村中诚志 ,  山本博正

IPC: C11D7/32 ,  H01L21/461

CPC classification number: H01L21/02071 ,  C11D7/08 ,  C11D7/16 ,  C11D7/3272 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31133

Abstract: 使用包含作为主要成分的缩合磷酸铵、作为辅助剂的尿素或尿素的变态成分和酸且氢离子浓度在10－4mol/l以上的清洗液除去附着在从半导体衬底2上露出的第2布线层20和埋入金属膜14上的抗蚀剂残渣22a。由此,即使由于无边界布线的缘故,埋入到连接孔中的埋入膜的一部分露出,也能可靠地除去抗蚀剂残渣而不溶解该埋入层或布线层等的导电层。

公开(公告)号：CN1308256A

公开(公告)日：2001-08-15

申请号：CN00133195.7

申请日：2000-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 村中诚志 ,  田中博司 ,  保利义幸

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/3071 ,  G03F7/422 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/67057

Abstract: 本发明涉及使用由多成分组成的抗蚀剂剥离液来剥离附着于半导体晶片的抗蚀剂残渣的抗蚀剂,其目的在于将抗蚀剂剥离液的成分比率长期维持在适当的范围内。设置贮存抗蚀剂剥离液的剥离液槽14。设置监视抗蚀剂剥离液的成分比率的导电率监视器46。设置根据该导电率估计抗蚀剂剥离液的成分比率并根据该估计结果对上述抗蚀剂剥离液适量地添加抗蚀剂剥离液的不足成分的添加成分罐50。

公开(公告)号：CN1263113C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN01103488.2

申请日：2001-02-07

Applicant: 花王株式会社

Inventor： 村中诚志 ,  菅野至 ,  代田真美 ,  近藤纯二

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G03F7/32

Abstract: 用单一的药液除去全部Al布线工序等中的抗蚀剂残渣。作为抗蚀剂除去或抗蚀剂残渣除去的处理液，使用含有有机酸或其盐和水且pH值小于8的药液。