处理液生成方法、处理液生成机构、半导体制造装置及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN112535962A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202010967568.6

    申请日:2020-09-15

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 得到一种生成具有高反应性的处理液的处理液生成方法以及处理液生成机构。液滴分散机构(11a1)执行向化学液体(C1)供给气体(G1)、使化学液体(C1)分散成液滴而得到液滴状化学液体(GC1)的第1液滴化处理。液滴分散机构(11a2)执行向化学液体(C2)供给气体(G2)、使化学液体(C2)分散成液滴而得到液滴状化学液体(GC2)的第2液滴化处理。液滴混合机构(12a1)执行将液滴状化学液体(GC1)与液滴状化学液体(GC2)混合而得到液滴状处理液(MC)的液滴混合处理。喷嘴(13a1)执行将从液滴混合机构(12a1)接收到的处理液(MC)向外部喷出的喷出处理。

    气体加热装置、半导体制造装置、发热体及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN115513092A

    公开(公告)日:2022-12-23

    申请号:CN202210713729.8

    申请日:2022-06-17

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 本发明涉及气体加热装置、半导体制造装置、发热体及半导体制造方法,目的在于提供能够提高对气体进行加热或冷却时的响应的技术。气体加热装置(11a)具有:平板状的发热体(51);耐热容器(54),其在内部具有平板状的空间(54i),在空间(54i)内以与发热体(51)之间设置有间隙的方式配置发热体(51);气体导入接头(55),其与耐热容器(54)连接,向空间(54i)内导入气体;气体导出接头(56),其与耐热容器(54)连接,将流过空间(54i)内后的气体向外部导出;以及感应线圈(57),其在耐热容器(54)的下表面以沿着发热体(51)的方式配置,基于被供给的电力对发热体(51)进行感应加热。

    半导体制造装置及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN111092028A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201910993980.2

    申请日:2019-10-18

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 目的在于提供即使是加工得薄的晶片,也遍及晶片整面得到充分的异物去除性能的半导体制造装置及半导体制造方法。半导体制造装置具备:卡盘台(8);洗涤器喷嘴(2);洗涤器喷嘴扫描机构(11);工作台旋转机构(12);及保持台(41),其具有保持流体喷嘴(41a)和顶板(41b),保持流体喷嘴向晶片(1)的与处理面相反侧的面侧喷出保持流体,在顶板(41b)将保持流体喷嘴与周缘部相比配置于中心侧,顶板的一个主面朝向晶片的相反侧的面。使从保持流体喷嘴喷出的保持流体通过晶片的相反侧的面和顶板的一个主面间的区域,由此在该区域产生保持力,通过保持力在相反侧的面保持通过从洗涤器喷嘴喷出的洗涤流体(3)而对晶片的处理面施加的压力。

    半导体制造装置及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN111092028B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN201910993980.2

    申请日:2019-10-18

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 目的在于提供即使是加工得薄的晶片,也遍及晶片整面得到充分的异物去除性能的半导体制造装置及半导体制造方法。半导体制造装置具备:卡盘台(8);洗涤器喷嘴(2);洗涤器喷嘴扫描机构(11);工作台旋转机构(12);及保持台(41),其具有保持流体喷嘴(41a)和顶板(41b),保持流体喷嘴向晶片(1)的与处理面相反侧的面侧喷出保持流体,在顶板(41b)将保持流体喷嘴与周缘部相比配置于中心侧,顶板的一个主面朝向晶片的相反侧的面。使从保持流体喷嘴喷出的保持流体通过晶片的相反侧的面和顶板的一个主面间的区域,由此在该区域产生保持力,通过保持力在相反侧的面保持通过从洗涤器喷嘴喷出的洗涤流体(3)而对晶片的处理面施加的压力。

    半导体制造装置以及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN110073479B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN201680091640.5

    申请日:2016-12-21

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 本发明的目的在于提供以下这样的半导体制造装置以及半导体制造方法,即,连同在晶片或者形成于晶片的厚度测定对象的表面形成有台阶的情况也包含在内,能够对厚度测定对象的表面的厚度高精度地进行计算。半导体制造装置具备厚度计算功能(100),厚度计算功能(100)具备:测定值取得部(1),其从对晶片的厚度进行测定的厚度测定功能(50)取得晶片的不同的测定位置处的多个测定值;直方图数据创建部(2),其基于多个测定值而创建直方图数据;以及分级组提取部(3),其从直方图数据提取分级组,分级组是指具有大于或等于预先确定的次数的次数的连续的分级,厚度计算功能还具备:代表值计算部(4),其基于提取出的分级组所含有的分级而对测定区域的厚度的代表值进行计算。

    处理液生成方法、处理液生成机构、半导体制造装置及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN112535962B

    公开(公告)日:2023-01-10

    申请号:CN202010967568.6

    申请日:2020-09-15

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 得到一种生成具有高反应性的处理液的处理液生成方法以及处理液生成机构。液滴分散机构(11a1)执行向化学液体(C1)供给气体(G1)、使化学液体(C1)分散成液滴而得到液滴状化学液体(GC1)的第1液滴化处理。液滴分散机构(11a2)执行向化学液体(C2)供给气体(G2)、使化学液体(C2)分散成液滴而得到液滴状化学液体(GC2)的第2液滴化处理。液滴混合机构(12a1)执行将液滴状化学液体(GC1)与液滴状化学液体(GC2)混合而得到液滴状处理液(MC)的液滴混合处理。喷嘴(13a1)执行将从液滴混合机构(12a1)接收到的处理液(MC)向外部喷出的喷出处理。

    晶片托、半导体制造装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115346908A

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210491103.7

    申请日:2022-05-07

    Abstract: 提供在将半导体晶片相对于载体内取放时,能够抑制半导体晶片与晶片托在意料外的部位接触的晶片托。还涉及半导体制造装置及半导体装置的制造方法。在晶片托处,两个承载部在第1方向上排列配置,两个承载部经由接合部连接,两个承载部各自从接合部向与第1方向正交的第2方向延伸,两个承载部各自的朝向与第2方向交叉的方向侧且彼此相对的侧面间的间隔大于或等于170mm,两个承载部各自的朝向与第2方向交叉的方向侧且彼此朝向与对方相反侧的侧面彼此的间隔小于或等于280mm,在将两个承载部的内侧侧面的距离设为A(mm),将两个承载部的内侧侧面的第2方向上的长度设为L(mm)的情况下,L≥(3002‑A2)0.5的关系成立。

    半导体制造装置以及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN110383428A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201780088047.X

    申请日:2017-03-10

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 旋转机构部(20)使包含至少一部分被蚀刻的被蚀刻区域的晶片(10)旋转。蚀刻机构部(30)对被蚀刻区域进行蚀刻。厚度测定功能(40)通过对被蚀刻区域的厚度进行测定,从而生成历时厚度数据。蚀刻控制功能(50)在被蚀刻区域的厚度的代表值(7a)达到了目标厚度值的时刻使蚀刻机构部(30)停止。厚度计算功能(60)在每个使晶片(10)旋转N周的单位期间,基于历时厚度数据中的在单位期间中测定的范围即测定区间的测定值(7),对厚度的代表值(7a)进行计算,其中,N为自然数。

    气体加热装置、半导体制造装置、发热体及半导体制造方法

    公开(公告)号:CN115513092B

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202210713729.8

    申请日:2022-06-17

    Inventor: 田中博司

    Abstract: 本发明涉及气体加热装置、半导体制造装置、发热体及半导体制造方法,目的在于提供能够提高对气体进行加热或冷却时的响应的技术。气体加热装置(11a)具有:平板状的发热体(51);耐热容器(54),其在内部具有平板状的空间(54i),在空间(54i)内以与发热体(51)之间设置有间隙的方式配置发热体(51);气体导入接头(55),其与耐热容器(54)连接,向空间(54i)内导入气体;气体导出接头(56),其与耐热容器(54)连接,将流过空间(54i)内后的气体向外部导出;以及感应线圈(57),其在耐热容器(54)的下表面以沿着发热体(51)的方式配置,基于被供给的电力对发热体(51)进行感应加热。

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