公开(公告)号：CN1408122A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN00816776.1

申请日：2000-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生股份有限公司

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  西前顺一 ,  冈本达树 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  宫坂光敏 ,  次六宽明

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/24

Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在上述非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与上述第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射390nm以上、640nm以下的激光(35)，与上述第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。

公开(公告)号：CN1197127C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN01802773.3

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 次六宽明 ,  宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热单元后形成有源半导体膜，对有源半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。

公开(公告)号：CN1393032A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01802773.3

申请日：2001-06-12

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 次六宽明 ,  宫坂光敏 ,  小川哲也 ,  时冈秀忠

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明旨在实现在较低的温度下制造优质薄膜半导体装置。在设置局部加热机构后形成活性半导体膜，对活性半导体膜照射脉冲激光进行熔融结晶化。

公开(公告)号：CN100355026C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN00816776.1

申请日：2000-10-06

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 小川哲也 ,  时冈秀忠 ,  西前顺一 ,  冈本达树 ,  佐藤行雄 ,  井上满夫 ,  宫坂光敏 ,  次六宽明

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/24

Abstract: 一种多晶态硅膜的制造方法，包括下列步骤：在玻璃衬底(31)上形成具有第一区(33a)和与该第一区(33a)相接的第二区(33b)的非晶态硅膜(33)的步骤；在上述非晶态硅膜(33)的第一区(33a)上照射波长为390nm以上、640nm以下的激光(35)，形成第一多晶态部分(34a)的步骤；以及在非晶态硅膜(33)的第二区(33b)和与该第二区(33b)相接的上述第一多晶态部分(34a)的一部分区域上照射设置为390nm以上、640nm以下的激光(35)，与第一多晶态部分(34a)相接地形成第二多晶态部分(34b)的步骤。