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公开(公告)号：CN1288254A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00133113.2
申请日：2000-09-10
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 一种半导体器件的制造方法,一种有源矩阵衬底的制造方法和一种电光器件,其中不同类型的TFT形成在同一衬底上,TFT的LDD长度或偏移长度的变化可通过较少的工艺得到抑制。在有源矩阵衬底的制造方法中,形成栅电极15和25的图案掩模被留下,在掺入中浓度的磷离子中使用以便与图案掩模554自对准地掺入杂质。然后,去除图案掩模,低浓度的磷离子利用栅电极作为掩模而掺入,以形成与栅电极自对准的低浓度源漏区111、121、211和221。每个区的LDD长度与栅电极的图案形成过程中产生的侧向蚀刻量相等。
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公开(公告)号：CN1299125A
公开(公告)日：2001-06-13
申请号：CN00135286.5
申请日：2000-12-08
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3666 , G09G3/3677 , G09G2310/0283 , G09G2310/0297 , G09G2320/02
Abstract: 可以得到进行显示画面的浓淡不均匀不会被引人注目地识别出来那样的点顺序驱动的液晶显示装置。把由信号处理电路(22)和定时电路(21)送来的图象信号电压加到信号线(5)上进行点顺序驱动的信号线驱动电路(19),具备使点顺序驱动的驱动方向(15)进行逆转的驱动方向切换电路(12),信号处理电路(19),具备伴随着上述驱动方向(15)的逆转,与驱动方向的逆转同步地进行必要的图象信号的重新排列的图象信号重新排列电路(24)。
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公开(公告)号：CN1319136C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN00133113.2
申请日：2000-09-10
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/127 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，一种有源矩阵衬底的制造方法和一种电光器件，其中不同类型的TFT形成在同一衬底上，TFT的LDD长度或偏移长度的变化可通过较少的工艺得到抑制。在有源矩阵衬底的制造方法中，形成栅电极15和25的图案掩模被留下，在掺入中浓度的磷离子中使用以便与图案掩模554自对准地掺入杂质。然后，去除图案掩模，低浓度的磷离子利用栅电极作为掩模而掺入，以形成与栅电极自对准的低浓度源漏区111、121、211和221。每个区的LDD长度与栅电极的图案形成过程中产生的侧向蚀刻量相等。
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公开(公告)号：CN1167042C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN00135286.5
申请日：2000-12-08
IPC: G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3688 , G09G3/3666 , G09G3/3677 , G09G2310/0283 , G09G2310/0297 , G09G2320/02
Abstract: 一种点顺序驱动的液晶显示装置，其显示画面的浓淡不均匀不会被引人注目地识别出来。把由信号处理电路(22)和定时电路(21)送来的图象信号电压加到信号线(5)上进行点顺序驱动的信号线驱动电路(19)，具备使点顺序驱动的驱动方向(15)进行逆转的驱动方向切换电路(12)，信号处理电路(19)，具备伴随着上述驱动方向(15)的逆转，与驱动方向的逆转同步地进行必要的图象信号的重新排列的图象信号重新排列电路(24)。
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公开(公告)号：CN103685883B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310449958.4
申请日：2013-09-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/3234
Abstract: 本发明提供摄像装置，充分地确保从被摄体到达受光元件的光量。在基板（32）的表面（321）上形成发光层（63）。与表面相对的多个透镜（24）聚集来自发光层照明的被摄体（200）的摄像光。在表面（321）与发光层间的第一电极层（61）形成对应各透镜的开口部（614）。由各透镜聚光并通过开口部的摄像光入射受光元件（14）。在规定通过受光元件的受光面（16）的周边上的点PA1和开口部（614）的周边上的点（PA2）的第一直线、和相对于第一直线与透镜的表面的交点（PA3）处的法线（LN）与第一直线（L1）呈线对称的第二直线（L2）的情况下，从第二直线与覆盖发光层的第二电极层（64）的表面的交点（PA4）观察，发光层的发光区域（70）位于光轴（L0）的相反侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105816185A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610019425.6
申请日：2016-01-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/1455 , A61B5/00
Abstract: 本发明提供了SN比高且能够更加可靠地进行血管的位置的指定、血液信息的测量的信息取得设备。生物体信息取得设备(200)具备摄像装置(90)和导光板(60)，该摄像装置(90)具有平面配置且向人体(M)射出光的发光元件(43)、和平面配置且接收来自人体(M)的光的受光元件(12)，该导光板(60)层叠设置于摄像装置(90)的人体(M)侧并在受光元件(12)以及发光元件(43)的法线方向上具有透光性，导光板(60)具有平面配置且折射率相互不同的第一部分(孔(62))和第二部分(基板(61))，第一部分(孔(62))配置为俯视时与受光元件(12)重叠，第二部分(基板(61))配置为俯视时与发光元件(43)重叠。
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公开(公告)号：CN104814749A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510046718.9
申请日：2015-01-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/1455
Abstract: 本发明提供了血糖值测定装置及血糖值测定方法，其可达到降低功耗的目的。在血糖值测定装置(10)中，血糖值预测部(166)预测用户的血糖值。发光部(111)向用户的生物体内照射测定光。发光控制部(161)、测定点候补设定部(164)、光量控制方法确定部(168)、以及测定点选择部(169)根据预测到的血糖值对每次测定的测定光的光量进行控制。受光控制部(162)、吸收光谱生成部(170)以及血糖值计算部(171)接收来自用户的反射光，测定血糖值。
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公开(公告)号：CN104814746A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510045268.1
申请日：2015-01-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: A61B5/1455
Abstract: 本发明提供了在测定有关血管或血液的生物信息的生物信息测定装置中可降低功耗的生物信息测定装置及生物信息测定方法。血糖值测定装置(10)是安装在用户(2)的手腕等部位上且使用光进行的非侵入式测定装置，在拍摄用于取得血管图案的生物体图像时，不使全部发光元件(53)发光(全部发光)，而使发光范围(60)中的一部分发光元件(53)发光。发光范围(60)被设定为以上一次测定中的照射位置(测定用发光元件(53a))为中心的范围。
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公开(公告)号：CN101000921B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200610171101.0
申请日：2006-12-22
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01J29/30 , H01L27/3244 , H01L51/5265 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
Abstract: 一种显示装置，包括：设置于元件基板(2)上的有机绝缘膜(284)、形成于有机绝缘膜(284)的表面的反射膜(27)、和隔着无机绝缘膜(25)形成于反射膜(27)的表面的发光元件(3)，由多个发光元件(3G、3B、3R)排列配置而成，其中，反射膜(27)形成为在俯视状态下与多个发光元件(3G、3B、3R)重叠。由此，能够提供一种在反射膜(27)的端部处可抑制无机绝缘膜(25)产生裂缝的发光装置。
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公开(公告)号：CN101192615B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200710196627.9
申请日：2007-11-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 石黑英人
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/42384 , H01L29/78612 , H01L29/78621 , H01L29/78645
Abstract: 本发明公开一种半导体装置、半导体装置的制造方法以及电光学装置，其中薄膜晶体管(10)将多晶硅膜(1a)作为有源层，具有将备有高浓度N型区域(1c)、低浓度N型区域(1d)、第1沟道区域(1e)和高浓度N型区域(1g)的第1薄膜晶体管部(10a)，以及备有高浓度N型区域(1g)、第2沟道区域(1i)、低浓度N型区域(1j)和高浓度N型区域(1k)的第2薄膜晶体管(10b)串联连接的多栅极结构。在漏极侧的第1薄膜晶体管部(10a)的沟道长度在0.5以上而不足1.5μm的范围内。从而即使在由于弯折(kink)效应，而在薄膜晶体管的饱和动作区域具有源极与漏极电流的变化的情况下，仍可获得稳定的输出。
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