公开(公告)号：CN112713122B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202011117533.X

申请日：2020-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高尾腾真

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的目的在于，提供确保填充材料的注入性且改善散热性的半导体装置。半导体装置包含半导体模块、基板以及填充材料。半导体模块包含：半导体芯片；控制IC(Integrated Circuit)，其对半导体芯片的驱动进行控制；以及封装件，其通过绝缘材料而将半导体芯片以及控制IC封装。在基板安装半导体模块。填充材料设置于半导体模块的封装件的下表面与基板之间。基板包含贯通孔，该贯通孔设置于封装件的下方、且与封装件内的半导体芯片相比设置于控制IC的附近。

公开(公告)号：CN112713122A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011117533.X

申请日：2020-10-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高尾腾真

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/13 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的目的在于，提供确保填充材料的注入性且改善散热性的半导体装置。半导体装置包含半导体模块、基板以及填充材料。半导体模块包含：半导体芯片；控制IC(Integrated Circuit)，其对半导体芯片的驱动进行控制；以及封装件，其通过绝缘材料而将半导体芯片以及控制IC封装。在基板安装半导体模块。填充材料设置于半导体模块的封装件的下表面与基板之间。基板包含贯通孔，该贯通孔设置于封装件的下方、且与封装件内的半导体芯片相比设置于控制IC的附近。

公开(公告)号：CN106981477B

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201710038455.6

申请日：2017-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 只熊利弥 ,  高尾腾真

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明的目的在于提供一种对辐射噪声、噪声端子电压等噪声的释放进行了抑制的半导体装置。半导体装置(100)具有：包含电力用半导体元件(7)在内的多个半导体元件；引线框(2)，其在一个主面搭载有多个半导体元件；树脂(1)，其对多个半导体元件和引线框(2)的搭载有多个半导体元件的部分进行封装；以及至少1个屏蔽部件(9)，其在引线框(2)的一个主面侧配置于多个半导体元件的上方，屏蔽部件(9)由树脂(1)进行保持，屏蔽部件(9)与树脂(1)相比磁导率或导电率高。

公开(公告)号：CN118738039A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410334367.0

申请日：2024-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高尾腾真 ,  山口公辅

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/538 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的目的在于提供能够充分地运用MOSFET的特性的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：下桥臂侧MOSFET(19)；下桥臂侧IGBT(18)；上桥臂侧MOSFET(6)；上桥臂侧IGBT(8)；上桥臂侧控制IC(3)，其对上桥臂侧MOSFET(6)以及上桥臂侧IGBT(8)的驱动进行控制；MOSFET栅极导线(4)，其将上桥臂侧MOSFET(6)的栅极电极与上桥臂侧控制IC(3)连接；IGBT栅极导线(5)，其将上桥臂侧IGBT(8)的栅极电极与上桥臂侧控制IC(3)连接；以及IGBT发射极感测导线(7)，其将上桥臂侧IGBT(8)的发射极电极与上桥臂侧控制IC(3)直接连接，上桥臂侧MOSFET(6)的源极电极经由上桥臂侧IGBT(8)的发射极电极而与上桥臂侧控制IC(3)电连接。

公开(公告)号：CN106981477A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710038455.6

申请日：2017-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 只熊利弥 ,  高尾腾真

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/29

Abstract: 本发明的目的在于提供一种对辐射噪声、噪声端子电压等噪声的释放进行了抑制的半导体装置。半导体装置(100)具有：包含电力用半导体元件(7)在内的多个半导体元件；引线框(2)，其在一个主面搭载有多个半导体元件；树脂(1)，其对多个半导体元件和引线框(2)的搭载有多个半导体元件的部分进行封装；以及至少1个屏蔽部件(9)，其在引线框(2)的一个主面侧配置于多个半导体元件的上方，屏蔽部件(9)由树脂(1)进行保持，屏蔽部件(9)与树脂(1)相比磁导率或导电率高。