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公开(公告)号：CN118501642A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410177364.0
申请日：2024-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供一种用户不使用半导体装置就能够对在半导体装置动作时产生的电磁波进行确认的电磁波计算系统。还涉及既往数据的取得方法。本发明涉及的电磁波计算系统对半导体装置所发出的电磁波进行计算，该电磁波计算系统具有电磁波模拟器以及既往数据记录部，电磁波模拟器与既往数据记录部经由网络进行通信，既往数据记录部将与半导体装置的型号以及半导体装置的使用条件对应的半导体装置的电磁波数据作为既往数据而记录，如果输入了半导体装置的型号以及使用条件，则电磁波模拟器与既往数据记录部进行通信，输出半导体装置的在使用条件下的电磁波数据。
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公开(公告)号：CN114764552A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210017151.2
申请日：2022-01-07
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 只熊利弥
IPC: G06F30/367
Abstract: 涉及仿真模型及仿真方法。本发明的目的在于准确地对CSTBT的动作进行仿真。CSTBT(12)的仿真模型(101)具有：MOSFET(21)；二极管(22)，其阴极与MOSFET(21)的漏极连接；电容(CGE)，其连接于MOSFET(21)的源极和栅极之间；电容(CCG)，其连接于MOSFET(21)的栅极和二极管的阳极之间；电容(CCE)，其连接于MOSFET(21)的源极和二极管的阳极之间；电容(CDG)，其连接于MOSFET(21)的漏极和栅极之间；行为电源(VDG)，其在MOSFET(21)的漏极和栅极之间与电容(CDG)串联连接，如果CSTBT(12)的栅极‑发射极间电压(VGE)达到预先规定的阈值，则行为电源(VDG)进行切换动作。
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公开(公告)号：CN108573967B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810194379.2
申请日：2018-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 只熊利弥
Abstract: 本发明目的是提供抑制尺寸的增大而内置有光耦合器的半导体模块及电力变换装置。半导体模块(100)具有光耦合器(20)、栅极驱动IC(7)、开关元件(2)，还具有第1及第2构造的至少一者、第1至第3引线框架(11、12、13)，第1构造是，在第1引线框架(11)的与发光元件(21)的底面电极接合的面的一部分隔着绝缘层(31)配置第1导电层(41)，发光元件(21)的上表面电极与第1导电层(41)通过导线(W1)电连接，第2构造是，在第2引线框架(12)的与受光元件(22)的底面电极接合的面的一部分隔着绝缘层(32)配置第2导电层(42)，受光元件(22)的上表面电极与第2导电层(42)通过导线(W2)电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108573967A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810194379.2
申请日：2018-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 只熊利弥
Abstract: 本发明目的是提供抑制尺寸的增大而内置有光耦合器的半导体模块及电力变换装置。半导体模块(100)具有光耦合器(20)、栅极驱动IC(7)、开关元件(2)，还具有第1及第2构造的至少一者、第1至第3引线框架(11、12、13)，第1构造是，在第1引线框架(11)的与发光元件(21)的底面电极接合的面的一部分隔着绝缘层(31)配置第1导电层(41)，发光元件(21)的上表面电极与第1导电层(41)通过导线(W1)电连接，第2构造是，在第2引线框架(12)的与受光元件(22)的底面电极接合的面的一部分隔着绝缘层(32)配置第2导电层(42)，受光元件(22)的上表面电极与第2导电层(42)通过导线(W2)电连接。
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公开(公告)号：CN106981477A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710038455.6
申请日：2017-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/29
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对辐射噪声、噪声端子电压等噪声的释放进行了抑制的半导体装置。半导体装置(100)具有：包含电力用半导体元件(7)在内的多个半导体元件；引线框(2)，其在一个主面搭载有多个半导体元件；树脂(1)，其对多个半导体元件和引线框(2)的搭载有多个半导体元件的部分进行封装；以及至少1个屏蔽部件(9)，其在引线框(2)的一个主面侧配置于多个半导体元件的上方，屏蔽部件(9)由树脂(1)进行保持，屏蔽部件(9)与树脂(1)相比磁导率或导电率高。
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公开(公告)号：CN116805834A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310261488.2
申请日：2023-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置。功率模块(40)包含至少1个半导体开关元件(QH、QC)和至少1个输出端子，通过与半导体开关元件的通断相应地切换与电源线(4)之间的连接关系而在输出端子产生电压变化。电源自生成电路(50)包含：输入节点(Ni)，其经由第1电容器(15)而与输出端子连接；二极管(17)，其以预先确定的连接方向连接在输入节点(Ni)及输出节点(No)之间；第2电容器(20)，其连接在输出节点(No)及基准节点(Nr)之间；以及电阻(18)，其连接在输入节点(Ni)及接地线(5)之间。第2电容器(20)在基准节点(Nr)及输出节点(No)之间对与二极管(17)的连接方向相应的极性的电压进行保持。
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公开(公告)号：CN115700980A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210800187.8
申请日：2022-07-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够生成微小电源电压的半导体装置。第1配线(P)与开关元件(6d～6f)连接。半导体模块(1)具有：第2配线(8)，其与第1配线(P)相邻地配置，根据流过第1配线(P)的电流的变化而产生感应电动势；以及封装材料(9)，其将开关元件(6a～6f)、第1配线(P)及第2配线(8)封装。第2配线(8)的一端和另一端都从封装材料(9)露出。半导体模块(1)安装于基板(10)。基板(10)的GND电极(11)与第2配线(8)的一端连接。二极管(D1)对从第2配线(8)的另一端输出的感应电动势进行整流。
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公开(公告)号：CN106981477B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710038455.6
申请日：2017-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L23/29
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对辐射噪声、噪声端子电压等噪声的释放进行了抑制的半导体装置。半导体装置(100)具有：包含电力用半导体元件(7)在内的多个半导体元件；引线框(2)，其在一个主面搭载有多个半导体元件；树脂(1)，其对多个半导体元件和引线框(2)的搭载有多个半导体元件的部分进行封装；以及至少1个屏蔽部件(9)，其在引线框(2)的一个主面侧配置于多个半导体元件的上方，屏蔽部件(9)由树脂(1)进行保持，屏蔽部件(9)与树脂(1)相比磁导率或导电率高。
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