公开(公告)号：CN101320763B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810005763.X

申请日：2008-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  田中芳和

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/03046 ,  Y02E10/544

Abstract: 得到一种能够提高耐湿性的光半导体装置。在n型InP衬底(11)上依次层叠n型InGaAs光吸收层(12)、作为窗层和倍增层的n型InP层(13)(第一导电型半导体层)。选择性地进行杂质扩散或者离子注入，由此，在n型InP层(13)的上表面的一部分上形成p型InP区域(14)(第二导电型半导体区域)。n型InP层(13)以及p型InP区域(14)的上表面被表面保护膜(15)覆盖。在n型InP衬底(11)的下表面连接阴极电极(16)(第一电极)。在p型InP区域(14)的上表面连接环状的阳极电极(17)(第二电极)。以包围阳极电极(17)的方式，配置低电压电极(19)。对该低电压电极(19)施加比阴极电极(16)低的电压。

公开(公告)号：CN101320763A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810005763.X

申请日：2008-02-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石村荣太郎 ,  田中芳和

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/03046 ,  Y02E10/544

Abstract: 得到一种能够提高耐湿性的光半导体装置。在n型InP衬底(11)上依次层叠n型InGaAs光吸收层(12)、作为窗层和倍增层的n型InP层(13)(第一导电型半导体层)。选择性地进行杂质扩散或者离子注入，由此，在n型InP层(13)的上表面的一部分上形成p型InP区域(14)(第二导电型半导体区域)。n型InP层(13)以及p型InP区域(14)的上表面被表面保护膜(15)覆盖。在n型InP衬底(11)的下表面连接阴极电极(16)(第一电极)。在p型InP区域(14)的上表面连接环状的阳极电极(17)(第二电极)。以包围阳极电极(17)的方式，配置低电压电极(19)。对该低电压电极(19)施加比阴极电极(16)低的电压。