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公开(公告)号：CN110169211B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201880005793.2
申请日：2018-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 金属‑陶瓷接合基板(1)由于散热面(4a)形成为球面状的凸形状，所以在散热面(4a)安装散热片时的与导热脂的接触压高，能够确保高的散热性。另外，通过在铸模(20)的内部的比金属‑陶瓷接合基板(1)的外形更靠外侧的位置设置与金属基体部形成部(23)连通的溢出部(26)，在使熔融金属凝固冷却时溢出部残留物(10)被铸模(20)约束，所以由于金属材料和陶瓷材料的线膨胀系数的差而产生的翘曲变形被抑制，并且能够抑制熔融金属流动过程中的流动性不良、冷隔流痕、凝固冷却过程中的表面破裂等铸造缺陷。
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公开(公告)号：CN109417059B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201780029589.X
申请日：2017-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 现有技术的半导体安装用散热底板利用定向性凝固而经过铸造时的冷却工序，因此金属组织从冷却侧形成粗大的柱状晶，从而散热基体的紧固作用及散热特性和半导体芯片对金属电路层的接合状况会产生不良情况。半导体安装用散热底板具备：绝缘基板(12)，所述绝缘基板(12)固定有安装半导体芯片的金属电路层；以及强度构件(13)，所述强度构件(13)将隔着绝缘基板(12)而在金属电路层的相反侧由与所述金属电路层同样的金属材料形成的散热基体与金属电路层同样地固定于绝缘基板(12)，并在散热基体的内部与绝缘基板隔绝，通过附着于铸模的晶体细化材料(25)对散热基体或金属电路层的任一部分的金属组织的晶体粒进行细化，阻止由柱状晶组织产生的不良影响。
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公开(公告)号：CN110169211A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201880005793.2
申请日：2018-01-10
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 金属-陶瓷接合基板(1)由于散热面(4a)形成为球面状的凸形状，所以在散热面(4a)安装散热片时的与导热脂的接触压高，能够确保高的散热性。另外，通过在铸模(20)的内部的比金属-陶瓷接合基板(1)的外形更靠外侧的位置设置与金属基体部形成部(23)连通的溢出部(26)，在使熔融金属凝固冷却时溢出部残留物(10)被铸模(20)约束，所以由于金属材料和陶瓷材料的线膨胀系数的差而产生的翘曲变形被抑制，并且能够抑制熔融金属流动过程中的流动性不良、冷隔流痕、凝固冷却过程中的表面破裂等铸造缺陷。
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公开(公告)号：CN109417059A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780029589.X
申请日：2017-05-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 现有技术的半导体安装用散热底板利用定向性凝固而经过铸造时的冷却工序，因此金属组织从冷却侧形成粗大的柱状晶，从而散热基体的紧固作用及散热特性和半导体芯片对金属电路层的接合状况会产生不良情况。半导体安装用散热底板具备：绝缘基板(12)，所述绝缘基板(12)固定有安装半导体芯片的金属电路层；以及强度构件(13)，所述强度构件(13)将隔着绝缘基板(12)而在金属电路层的相反侧由与所述金属电路层同样的金属材料形成的散热基体与金属电路层同样地固定于绝缘基板(12)，并在散热基体的内部与绝缘基板隔绝，通过附着于铸模的晶体细化材料(25)对散热基体或金属电路层的任一部分的金属组织的晶体粒进行细化，阻止由柱状晶组织产生的不良影响。
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