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公开(公告)号：CN101261994A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810085834.1
申请日：1998-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10844 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91
Abstract: 一种具备电容器的半导体装置及其制造方法，在确保一定的电容器电容的同时可实现高集成化并具有高的可靠性。该半导体装置包含存储单元区和外围电路区，具备在半导体衬底(1)的主表面上从上述存储单元区延伸到外围电路区的绝缘膜(59)。在存储单元区内形成电容器下部电极(170a)，电容器下部电极(170a)包含具有顶面(301)和底面(302)的电容器下部电极部分，使绝缘膜(59)的上部表面位于电容器下部电极部分的顶面(301)和底面(302)之间。
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公开(公告)号：CN101261994B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200810085834.1
申请日：1998-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10844 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91
Abstract: 一种具备电容器的半导体装置及其制造方法，在确保一定的电容器电容的同时可实现高集成化并具有高的可靠性。该半导体装置包含存储单元区和外围电路区，具备在半导体衬底(1)的主表面上从上述存储单元区延伸到外围电路区的绝缘膜(59)。在存储单元区内形成电容器下部电极(170a)，电容器下部电极(170a)包含具有顶面(301)和底面(302)的电容器下部电极部分，使绝缘膜(59)的上部表面位于电容器下部电极部分的顶面(301)和底面(302)之间。
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公开(公告)号：CN100385670C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN98118366.2
申请日：1998-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10844 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91
Abstract: 可得到一种在确保一定的电容器电容的同时可实现高集成化并具有高的可靠性的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含存储单元区和外围电路区，具备在半导体衬底(1)的主表面上从上述存储单元区延伸到外围电路区的绝缘膜(59)。在存储单元区内形成电容器下部电极(170a)，电容器下部电极(170a)包含具有顶面(301)和底面(302)的电容器下部电极部分，使绝缘膜(59)的上部表面位于电容器下部电极部分的顶面(301)和底面(302)之间。
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公开(公告)号：CN1221220A
公开(公告)日：1999-06-30
申请号：CN98118366.2
申请日：1998-08-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L27/10814 , H01L27/10817 , H01L27/10844 , H01L27/10852 , H01L27/10894 , H01L28/91
Abstract: 可得到一种在确保一定的电容器电容的同时可实现高集成化并具有高的可靠性的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含存储单元区和外围电路区,具备在半导体衬底(1)的主表面上从上述存储单元区延伸到外围电路区的绝缘膜(59)。在存储单元区内形成电容器下部电极(170a),电容器下部电极(170a)包含具有顶面(301)和底面(302)的电容器下部电极部分,使绝缘膜(59)的上部表面位于电容器下部电极部分的顶面(301)和底面(302)之间。
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