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公开(公告)号：CN104094045B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280069159.8
申请日：2012-12-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H04N1/028
CPC classification number: F21V7/005 , F21S4/28 , F21V21/00 , G02B6/0013 , G02B6/0031 , G02B6/0068 , G02B6/0071 , G02B6/0073 , G02B6/0085 , H04N1/0285 , H04N1/02865
Abstract: 本发明的光源装置包括：沿主扫描方向延伸的棒状光源或者阵列光源；反射板(302)，该反射板(302)与棒状光源或者阵列光源相对配置，沿主扫描方向延伸，且对从棒状光源或者阵列光源的侧面射出的光进行反射；以及多个反射板支承部，该多个反射板支承部沿着主扫描方向隔开间隔设置，并对反射板进行支承。
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公开(公告)号：CN104204835A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380019119.7
申请日：2013-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，在使具有磁性图案的被检测体与磁阻效应元件相隔微小距离的非接触状态下，稳定且灵敏度优异地检测被检测体的磁性图案。磁铁(6)配置于被检测体(5)的传送路径即中空部(2)的一个面，且沿着被检测体(5)的传送方向具有规定长度的磁极。磁性体(8)沿着传送方向与磁铁(6)隔着中空部(2)相对配置，生成与形成于磁性体(8)和磁铁(6)之间的中空部(2)交叉的交叉磁场。各向异性磁阻效应元件(10)配置在磁性体载体(8)的面对中空部(2)的一侧，在传送方向上具有磁敏作用。
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公开(公告)号：CN104094045A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280069159.8
申请日：2012-12-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: F21V7/005 , F21S4/28 , F21V21/00 , G02B6/0013 , G02B6/0031 , G02B6/0068 , G02B6/0071 , G02B6/0073 , G02B6/0085 , H04N1/0285 , H04N1/02865
Abstract: 本发明的光源装置包括：沿主扫描方向延伸的棒状光源或者阵列光源(308)；反射板(302)，该反射板(302)与所述棒状光源或者阵列光源相对配置，沿所述主扫描方向延伸，且对从所述棒状光源或者阵列光源的侧面射出的光进行反射；以及多个反射板支承部(320)，该多个反射板支承部(320)沿着所述主扫描方向隔开间隔设置，并对所述反射板进行支承。
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公开(公告)号：CN106537166B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201580039331.9
申请日：2015-07-24
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的磁性传感器装置包括：磁场生成部(1)，该磁场生成部(1)配置在片状且包含有磁性成分的被检测物(4)的一个面侧，生成与所述被检测物(4)交叉的交叉磁场；以及磁阻效应元件(3)，该磁阻效应元件(3)配置在所述被检测物(4)与所述磁场生成部(1)之间，其电阻值随着因所述被检测物(4)沿着传送方向被传送而产生的所述交叉磁场在所述传送方向上的分量的变化而变化，所述磁阻效应元件(3)中，在传送方向上相邻的电阻体(32a、32b)桥接连接，所述电阻体(32a、32b)配置成以与所述传送方向正交的方向为轴相对于桥接中心呈线对称，所述磁阻效应元件(3)的桥接中心在所述传送方向上的位置配置在所述磁场生成部(1)在所述传送方向上的中心位置。
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公开(公告)号：CN104204835B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380019119.7
申请日：2013-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，在使具有磁性图案的被检测体与磁阻效应元件相隔微小距离的非接触状态下，稳定且灵敏度优异地检测被检测体的磁性图案。磁铁(6)配置于被检测体(5)的传送路径即中空部(2)的一个面，且沿着被检测体(5)的传送方向具有规定长度的磁极。磁性体(8)沿着传送方向与磁铁(6)隔着中空部(2)相对配置，生成与形成于磁性体(8)和磁铁(6)之间的中空部(2)交叉的交叉磁场。各向异性磁阻效应元件(10)配置在磁性体载体(8)的面对中空部(2)的一侧，在传送方向上具有磁敏作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104094368A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007289.3
申请日：2013-01-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01F7/02
CPC classification number: H01F7/021
Abstract: 磁路包括：设置成阵列状的短磁铁(1a)和短磁铁(1b)；以及以夹住短磁铁(1a)和短磁铁(1b)的方式设置的磁轭(2a)和磁轭(2b)。短磁铁(1a)和短磁铁(1b)配置为在阵列的排列方向上彼此之间的间隙在规定磁铁间间隙(3)以下。此外，短磁铁(1a)和短磁铁(1b)配置为在磁轭(2a)和磁轭(2b)的一个磁轭一侧具有一个磁极，在另一个磁轭一侧具有另一个磁极。
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公开(公告)号：CN106560005B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201580031307.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于获得高精度地对使用硬磁性体(1a)的被检测物(1)进行检测的磁性传感器装置(101)。包括磁体(3)、设置于磁体(3)的磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)、以及施加有从磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)释放至磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)外的漏磁场的磁阻效应元件(5)。磁阻效应元件(5)将与磁体(3)相对的相反侧作为检测区域(2a)。磁阻效应元件(5)对在包含硬磁性体(1a)的被检测物(1)通过检测区域(2a)时所产生的磁阻效应元件(5)的偏置磁场(6)的变化进行检测。
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公开(公告)号：CN104969084B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201480007669.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。
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公开(公告)号：CN103842838A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280023413.0
申请日：2012-05-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/147 , G01N27/72 , G01R33/096 , G07D7/04
Abstract: 磁传感器装置具备相对于搬运路(2)而相互位于相反侧的第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，第一磁铁(6)的各磁极与第二磁铁(7)的与该磁极不同的磁极相向。通过第一磁铁(6)和第二磁铁(7)，生成与搬运方向正交的间隔方向的磁场强度为既定的范围的交叉磁场。AMR元件(10)位于交叉磁场的间隔方向的磁场强度为既定的范围的强磁场强度区域，将被检测体(5)引起的交叉磁场的搬运方向的分量的变化作为电阻值的变化而检测。多层基板(9)将AMR元件(10)所检测到的电阻值的变化输出至处理电路(15)。
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公开(公告)号：CN106560005A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201580031307.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于获得高精度地对使用硬磁性体(1a)的被检测物(1)进行检测的磁性传感器装置(101)。包括磁体(3)、设置于磁体(3)的磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)、以及施加有从磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)释放至磁轭(4、4a、4b、4c、4d、4e、4f、4g、4h)外的漏磁场的磁阻效应元件(5)。磁阻效应元件(5)将与磁体(3)相对的相反侧作为检测区域(2a)。磁阻效应元件(5)对在包含硬磁性体(1a)的被检测物(1)通过检测区域(2a)时所产生的磁阻效应元件(5)的偏置磁场(6)的变化进行检测。
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