公开(公告)号：CN1296642A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN99804934.4

申请日：1999-06-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫崎守泰 ,  汤川秀宪 ,  大桥英征 ,  新居真敏

IPC: H01L25/04

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/162 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

Abstract: 射频电路模块具备安装在第1介质电路基板1的被壁3包围的空腔4内的第1射频半导体器件19和安装在放置在壁3上的第2介质电路基板2的第2射频半导体器件29。在第1介质电路基板1上设置金属基底11,在壁3内设置埋设成以其一端电连接到金属基底11上而另一端露出的、把空腔4包围在内并配置了多个通路孔等的埋设导体13金属罩12密封粘接在第1介质电路基板1上,覆盖第2介质基板2及第2射频半导体器件29,同时在壁3的上表面处电连接多个埋设导体13。从而,能够提供在对第1及第2射频半导体器件分别进行电屏蔽的同时进行气密密封,实现小型化、高性能化的射频电路模块。金属罩是板形的,第1介质基板是高温烧结基板,第2介质基板是低温烧结基板,介质基板之间的连接可以是焊锡凸点、各向异性导电性薄片。金属基底11在空腔中露出,可以在第1介质基板上安装发送系统电路,在第2介质基板上安装接收系统电路。也可以把不需要气密密封的射频电路器件配置在金属罩的外部。