半导体激光器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102214894B

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201110083417.5

    申请日:2011-04-02

    Abstract: 本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂(2)将导线(3)固定在框架(1)上。利用焊料(4)将副固定件(5)接合在框架(1)上,利用焊料(6)将半导体激光器芯片(7)接合在副固定件(5)上。这样,利用焊料(4)将框架(1)和副固定件(5)连接,所以能够改善散热性。并且,采用耐热温度比焊料(4、6)的熔点高的模塑树脂(2)。因此,将装载的框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)加热,使焊料(4、6)熔融,能够使框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)彼此同时接合。

    半导体激光器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102214894A

    公开(公告)日:2011-10-12

    申请号:CN201110083417.5

    申请日:2011-04-02

    Abstract: 本发明的目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。利用模塑树脂(2)将导线(3)固定在框架(1)上。利用焊料(4)将副固定件(5)接合在框架(1)上,利用焊料(6)将半导体激光器芯片(7)接合在副固定件(5)上。这样,利用焊料(4)将框架(1)和副固定件(5)连接,所以能够改善散热性。并且,采用耐热温度比焊料(4、6)的熔点高的模塑树脂(2)。因此,将装载的框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)加热,使焊料(4、6)熔融,能够使框架(1)、副固定件(5)及半导体激光器芯片(7)彼此同时接合。

Patent Agency Ranking