公开(公告)号：CN110461851A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880018816.3

申请日：2018-03-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 白井慎洋 ,  熊野达之 ,  斋藤伸弥

IPC: C07D493/04 ,  C07C51/43 ,  C07C61/08

Abstract: 本发明的目的在于，提供：能稳定地达成高的脱水率的1,2,4,5-环己烷四羧酸二酐的制造方法。本发明的1,2,4,5-环己烷四羧酸二酐的制造方法的特征在于，使1,2,4,5-环己烷四羧酸在脱水剂的存在下、以浆料状态进行脱水反应，制造1,2,4,5-环己烷四羧酸二酐，前述1,2,4,5-环己烷四羧酸的平均粒径为20μm以上。

公开(公告)号：CN110494437A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880018837.5

申请日：2018-03-22

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 白井慎洋 ,  熊野达之 ,  斋藤伸弥

IPC: C07D493/04

Abstract: 本发明的目的在于，提供：能稳定地达成高的脱水率的1,2,4,5-环己烷四羧酸二酐的制造方法。本发明的1,2,4,5-环己烷四羧酸二酐的制造方法的特征在于，使1,2,4,5-环己烷四羧酸在脱水剂的存在下、以浆料状态进行脱水反应，制造1,2,4,5-环己烷四羧酸二酐，对于脱水剂分批地供给或连续地供给1,2,4,5-环己烷四羧酸。

公开(公告)号：CN110402243A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201880018015.7

申请日：2018-03-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 斋藤伸弥 ,  熊野达之

IPC: C07C51/43 ,  C07C61/08

Abstract: 本发明的目的在于，提供：可以得到高纯度的顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的制造方法。本发明的顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸晶体的制造方法具备下述工序。工序1：测定含有顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸的原料水溶液中的顺式,顺式-1,2,4-环己烷三羧酸相对于反式,反式-1,2,4-环己烷三羧酸的质量比(顺式/反式比)，形成顺式/反式比为10以上的析晶用原料水溶液的工序；工序2：将工序1中得到的析晶用原料水溶液析晶的工序。

公开(公告)号：CN110402243B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201880018015.7

申请日：2018-03-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 斋藤伸弥 ,  熊野达之

IPC: C07C51/43 ,  C07C61/08

Abstract: 本发明的目的在于，提供：可以得到高纯度的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸晶体的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸晶体的制造方法。本发明的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸晶体的制造方法具备下述工序。工序1：测定含有顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸的原料水溶液中的顺式,顺式‑1,2,4‑环己烷三羧酸相对于反式,反式‑1,2,4‑环己烷三羧酸的质量比(顺式/反式比)，形成顺式/反式比为10以上的析晶用原料水溶液的工序；工序2：将工序1中得到的析晶用原料水溶液析晶的工序。