硅烷化合物的制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113574034A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202080021789.2

    申请日:2020-03-19

    Abstract: 本发明提供不伴随酸等腐蚀性物质的生成、不使用有机溶剂且有助于降低环境负荷的硅烷化合物的以下的制造方法。该硅烷化合物的制造方法包括将含有A)硅氧烷化合物、B)碳酸酯化合物和C)碱性化合物催化剂的混合物加热而使A)的硅氧烷化合物发生烷氧基化和/或芳氧基化的D)硅氧烷分解工序,该A)硅氧烷化合物为下述式(1)所示的A-1)环状硅氧烷化合物、下述式(2)所示的A-2)直链状硅氧烷化合物和/或以硅氧烷键为主链骨架的下述式(3)所示的倍半硅氧烷化合物,B)碳酸酯化合物包含碳酸二芳基酯、碳酸二烷基酯和碳酸单烷基单芳基酯中的至少一种。(式中,R1~R5、X、n、m和p如本发明说明书所记载。)[R5SiO1.5]p (3)。

    预浸料和层压板
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104169343B

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201380012278.4

    申请日:2013-03-21

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种预浸料,其无论是否使用极性溶剂都能实现层压板的低介质损耗角正切。本发明涉及一种预浸料,该预浸料是用清漆对基材进行浸渍或涂布,其后经过干燥工序而制作,所述清漆含有含聚苯醚为主成分的树脂组合物、无机填充材料和极性溶剂,该预浸料中的前述极性溶剂的含量为3质量%以下,使用该预浸料制作的层压板的10GHz下的介质损耗角正切为0.001~0.007。

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