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公开(公告)号：CN108779580B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201780016941.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaN结晶的新型制造方法，其包括使用GaCl3和NH3为原料、在非极性或半极性GaN表面上使GaN从气相中生长。本发明所提供一种GaN结晶的制造方法的发明，其包括下述步骤：(i)晶种准备步骤，其是准备GaN晶种的步骤，该GaN晶种具有非极性或半极性表面，该非极性或半极性表面的法线的方向与该GaN晶种的[0001]方向形成85°以上且小于170°的角度；以及(ii)生长步骤，使用GaCl3和NH3为原料使GaN从气相中生长在该GaN晶种的包含该非极性或半极性表面的表面上。
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公开(公告)号：CN108779580A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016941.6
申请日：2017-02-27
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东京农工大学
IPC: C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/34 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种GaN结晶的新型制造方法，其包括使用GaCl3和NH3为原料、在非极性或半极性GaN表面上使GaN从气相中生长。本发明所提供一种GaN结晶的制造方法的发明，其包括下述步骤：(i)晶种准备步骤，其是准备GaN晶种的步骤，该GaN晶种具有非极性或半极性表面，该非极性或半极性表面的法线的方向与该GaN晶种的[0001]方向形成85°以上且小于170°的角度；以及(ii)生长步骤，使用GaCl3和NH3为原料使GaN从气相中生长在该GaN晶种的包含该非极性或半极性表面的表面上。
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公开(公告)号：CN110637104A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201880032707.7
申请日：2018-05-17
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 大阳日酸株式会社 , 大阳日酸CSE株式会社
IPC: C23C16/448 , C01B21/06 , C01G15/00 , C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 一种气液反应装置，包括：气液反应室，在内部空间的下部收纳熔融金属，使供给到内部空间的长度方向的一端侧的上部的包含载气和原料气体的混合气体A在长度方向上流动，所述载气为N2气和/或Ar气，同时通过原料气体和熔融金属的气液反应使生成气体生成，并将含有生成气体和载气的混合气体B从长度方向的另一端侧的上部排出；以及突出部件，从与气液反应室的内部空间接触的顶面向内部空间内突出，所述长度方向的一端侧的突出角度为钝角，并且具有使气体在所述长度方向上通过的狭缝。
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公开(公告)号：CN101605930B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880001245.9
申请日：2008-02-05
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 株式会社德山
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种为了制作垂直导电型AlN系半导体元件而有用的包含n型导电性氮化铝半导体结晶的自立式衬底。在蓝宝石等单晶衬底上，利用HVPE法形成AlN结晶层后，使衬底温度为1,200℃以上，然后利用HVPE法高速形成包含n型导电性氮化铝半导体结晶的层而得到叠层体，所述n型导电性氮化铝半导体结晶的Si原子含量为1×1018～5×1020cm-3，基本上不含卤原子，且基本上不吸收具有5.9eV以下能量的光，由得到的叠层体分离包含上述n型导电性氮化铝半导体结晶的层，得到自立式衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110637104B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201880032707.7
申请日：2018-05-17
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 大阳日酸株式会社 , 大阳日酸CSE株式会社
IPC: C23C16/448 , C01B21/06 , C01G15/00 , C23C16/34 , H01L21/205
Abstract: 一种气液反应装置，包括：气液反应室，在内部空间的下部收纳熔融金属，使供给到内部空间的长度方向的一端侧的上部的包含载气和原料气体的混合气体A在长度方向上流动，所述载气为N2气和/或Ar气，同时通过原料气体和熔融金属的气液反应使生成气体生成，并将含有生成气体和载气的混合气体B从长度方向的另一端侧的上部排出；以及突出部件，从与气液反应室的内部空间接触的顶面向内部空间内突出，所述长度方向的一端侧的突出角度为钝角，并且具有使气体在所述长度方向上通过的狭缝。
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公开(公告)号：CN111094619A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059754.0
申请日：2018-09-13
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 大阳日酸株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , C30B25/16 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 一种氮化镓晶体膜的制造方法，包括在基板上供给由惰性气体构成的载气、GaCl3气体、卤素气体以及NH3气体而在所述基板上生长氮化镓晶体膜的生长工序，在所述生长工序中，在将所述基板上的所述卤素气体的分压与所述GaCl3气体的分压之比作为分压比[P卤素/PGaCl3]的情况下，分压比[P卤素/PGaCl3]为0.20以上。
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公开(公告)号：CN101605930A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880001245.9
申请日：2008-02-05
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 株式会社德山
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种为了制作垂直导电型AlN系半导体元件而有用的包含n型导电性氮化铝半导体结晶的自立式衬底。在蓝宝石等单晶衬底上，利用HVPE法形成AlN结晶层后，使衬底温度为1,200℃以上，然后利用HVPE法高速形成包含n型导电性氮化铝半导体结晶的层而得到叠层体，所述n型导电性氮化铝半导体结晶的Si原子含量为1×1018～5×1020cm－3，基本上不含卤原子，且基本上不吸收具有5.9eV以下能量的光，由得到的叠层体分离包含上述n型导电性氮化铝半导体结晶的层，得到自立式衬底。
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公开(公告)号：CN111621852A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010518150.7
申请日：2011-12-22
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 株式会社德山
Abstract: 本发明涉及一种氮化铝单晶，其特征在于，碳的浓度为1×1014atoms/cm3以上且小于3×1017atoms/cm3，氯的浓度为1×1014～1×1017atoms/cm3，波长265nm下的吸收系数为40cm－1以下。
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公开(公告)号：CN101578398A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001379.0
申请日：2008-02-27
Applicant: 国立大学法人东京农工大学 , 株式会社德山
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/10 , C30B25/18
Abstract: 本发明提供获得铝系第III族氮化物晶体层的方法，其不采用MOVPE法，由于可使用廉价的原料，因此，通过只采用制造成本低且可以高速成膜的HVPE法，可以得到表面平滑且结晶性良好的铝系第III族氮化物晶体层。当通过包括使已加热的单晶衬底与含有第III族卤化物及含氮原子的化合物的原料气体相接触而在该单晶衬底上使第III族氮化物晶体层进行气相成长的工序的HVPE法来制造第III族氮化物晶体时，在加热到1000℃以上且不足1200℃的温度的单晶衬底上使第III族氮化物晶体进行气相成长而形成中间层之后，将衬底上的中间层的温度设定为1200℃以上，在该中间层上使第III族氮化物晶体进一步进行气相成长。
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