-
公开(公告)号：CN111615540A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008837.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明的导电性组合物含有导电性聚合物(A)、水溶性聚合物(B)和溶剂(C1)，所述水溶性聚合物(B)含有下述通式(11)所表示的水溶性聚合物(B11)，所述水溶性聚合物(B)中的下述通式(2)所表示的水溶性聚合物(B2)的含量相对于所述导电性组合物的总质量为0.15质量％以下。R1表示碳原子数6～20的烷基，R4、R5表示甲基或乙基，R6表示亲水性基团，R7表示氢原子或者甲基，Y1表示单键、-S-、-S(＝O)-、-C(＝O)-O-或者-O-，Z表示氰基或者羟基，p1、q表示平均重复数且为1～50的数，m是1～5的数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116646110B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202310662737.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01B1/12 , H01B13/00 , C08L101/12 , C08L39/06
Abstract: 本发明的导电性组合物含有导电性聚合物(A)、水溶性聚合物(B)和溶剂(C1)，所述水溶性聚合物(B)含有下述通式(11)所表示的水溶性聚合物(B11)，所述水溶性聚合物(B)中的下述通式(2)所表示的水溶性聚合物(B2)的含量相对于所述导电性组合物的总质量为0.15质量％以下。#imgabs0#R1表示碳原子数6～20的烷基，R4、R5表示甲基或乙基，R6表示亲水性基团，R7表示氢原子或者甲基，Y1表示单键、‑S‑、‑S(＝O)‑、‑C(＝O)‑O‑或者‑O‑，Z表示氰基或者羟基，p1、q表示平均重复数且为1～50的数，m是1～5的数。
-
公开(公告)号：CN116646110A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310662737.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: H01B1/12 , H01B13/00 , C08L101/12 , C08L39/06
Abstract: 本发明的导电性组合物含有导电性聚合物(A)、水溶性聚合物(B)和溶剂(C1)，所述水溶性聚合物(B)含有下述通式(11)所表示的水溶性聚合物(B11)，所述水溶性聚合物(B)中的下述通式(2)所表示的水溶性聚合物(B2)的含量相对于所述导电性组合物的总质量为0.15质量％以下。R1表示碳原子数6～20的烷基，R4、R5表示甲基或乙基，R6表示亲水性基团，R7表示氢原子或者甲基，Y1表示单键、‑S‑、‑S(＝O)‑、‑C(＝O)‑O‑或者‑O‑，Z表示氰基或者羟基，p1、q表示平均重复数且为1～50的数，m是1～5的数。
-
公开(公告)号：CN111615540B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201980008837.1
申请日：2019-01-24
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明的导电性组合物含有导电性聚合物(A)、水溶性聚合物(B)和溶剂(C1)，所述水溶性聚合物(B)含有下述通式(11)所表示的水溶性聚合物(B11)，所述水溶性聚合物(B)中的下述通式(2)所表示的水溶性聚合物(B2)的含量相对于所述导电性组合物的总质量为0.15质量％以下。R1表示碳原子数6～20的烷基，R4、R5表示甲基或乙基，R6表示亲水性基团，R7表示氢原子或者甲基，Y1表示单键、‑S‑、‑S(＝O)‑、‑C(＝O)‑O‑或者‑O‑，Z表示氰基或者羟基，p1、q表示平均重复数且为1～50的数，m是1～5的数。
-
公开(公告)号：CN111819637B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201980016372.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明的导电膜是包含导电性聚合物(A)且膜厚为35nm以下的导电膜，所述导电膜的表面电阻值为1×1011Ω/□以下，在对所述导电膜施加电压时，该导电膜中流过的电流值的标准偏差为5以下。本发明的导电体具有：基材和设在所述基材表面的至少一部分上的所述导电膜。本发明的抗蚀剂图形的形成方法具有以下步骤：层叠步骤，在单面上具有抗蚀剂层的基板的所述抗蚀剂层表面上形成所述导电膜，所述抗蚀剂层由化学放大型抗蚀剂构成；曝光步骤，对所述基板从所述导电膜侧以图形状照射电子束。本发明的层叠体具有：抗蚀剂层和形成于所述抗蚀剂层表面上的抗静电膜，所述抗静电膜是所述导电膜。
-
公开(公告)号：CN111819637A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980016372.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 三菱化学株式会社
Abstract: 本发明的导电膜是包含导电性聚合物(A)且膜厚为35nm以下的导电膜，所述导电膜的表面电阻值为1×1011Ω/□以下，在对所述导电膜施加电压时，该导电膜中流过的电流值的标准偏差为5以下。本发明的导电体具有：基材和设在所述基材表面的至少一部分上的所述导电膜。本发明的抗蚀剂图形的形成方法具有以下步骤：层叠步骤，在单面上具有抗蚀剂层的基板的所述抗蚀剂层表面上形成所述导电膜，所述抗蚀剂层由化学放大型抗蚀剂构成；曝光步骤，对所述基板从所述导电膜侧以图形状照射电子束。本发明的层叠体具有：抗蚀剂层和形成于所述抗蚀剂层表面上的抗静电膜，所述抗静电膜是所述导电膜。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
