公开(公告)号：CN111819637B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201980016372.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 牧川早希 ,  山嵜明 ,  山田直子 ,  入江嘉子 ,  佐伯慎二 ,  鹈泽正志

IPC: H01B1/12 ,  C08G73/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的导电膜是包含导电性聚合物(A)且膜厚为35nm以下的导电膜，所述导电膜的表面电阻值为1×1011Ω/□以下，在对所述导电膜施加电压时，该导电膜中流过的电流值的标准偏差为5以下。本发明的导电体具有：基材和设在所述基材表面的至少一部分上的所述导电膜。本发明的抗蚀剂图形的形成方法具有以下步骤：层叠步骤，在单面上具有抗蚀剂层的基板的所述抗蚀剂层表面上形成所述导电膜，所述抗蚀剂层由化学放大型抗蚀剂构成；曝光步骤，对所述基板从所述导电膜侧以图形状照射电子束。本发明的层叠体具有：抗蚀剂层和形成于所述抗蚀剂层表面上的抗静电膜，所述抗静电膜是所述导电膜。

公开(公告)号：CN111819637A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980016372.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 牧川早希 ,  山嵜明 ,  山田直子 ,  入江嘉子 ,  佐伯慎二 ,  鹈泽正志

IPC: H01B1/12 ,  C08G73/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的导电膜是包含导电性聚合物(A)且膜厚为35nm以下的导电膜，所述导电膜的表面电阻值为1×1011Ω/□以下，在对所述导电膜施加电压时，该导电膜中流过的电流值的标准偏差为5以下。本发明的导电体具有：基材和设在所述基材表面的至少一部分上的所述导电膜。本发明的抗蚀剂图形的形成方法具有以下步骤：层叠步骤，在单面上具有抗蚀剂层的基板的所述抗蚀剂层表面上形成所述导电膜，所述抗蚀剂层由化学放大型抗蚀剂构成；曝光步骤，对所述基板从所述导电膜侧以图形状照射电子束。本发明的层叠体具有：抗蚀剂层和形成于所述抗蚀剂层表面上的抗静电膜，所述抗静电膜是所述导电膜。