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公开(公告)号：CN102156505A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010613497.6
申请日：2010-12-24
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: G05F3/24
CPC classification number: G05F3/26 , G05F3/242 , H03K3/0231 , H03K4/501
Abstract: 本发明涉及电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。本发明的目的在于提供以简单的结构来补偿耗尽型MOS晶体管的温度特性的电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。所述电流源电路的特征在于，包含：由两个增强型MOS晶体管(Q2、Q3)构成的电流镜电路；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极连接，作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管(Q1)；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的源极连接的、具有负的温度特性的电阻。
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公开(公告)号：CN103023480A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210364883.5
申请日：2012-09-26
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H03K19/003
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将箝位电压设定为正确值的半导体集成电路。该半导体集成电路具有：恒定电流部（60），其被供给电源并产生恒定电流，其中所述电源为第一电压；箝位部（71），其被供给由恒定电流部（60）产生的恒定电流并产生比第一电压低的第二电压，将第一电压的电源箝位在第二电压；以及基准电压产生部（72），其被供给由箝位部（71）箝位后的电源并产生基准电压，箝位部（71）是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的多级MOS晶体管（M11-1~M11-n）。
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公开(公告)号：CN103023480B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210364883.5
申请日：2012-09-26
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: H03K19/003
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将箝位电压设定为正确值的半导体集成电路。该半导体集成电路具有：恒定电流部（60），其被供给电源并产生恒定电流，其中所述电源为第一电压；箝位部（71），其被供给由恒定电流部（60）产生的恒定电流并产生比第一电压低的第二电压，将第一电压的电源箝位在第二电压；以及基准电压产生部72），其被供给由箝位部（71）箝位后的电源并产生基准电压，箝位部（71）是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的多级MOS晶体管（M11-1~M11-n）。
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公开(公告)号：CN102156505B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010613497.6
申请日：2010-12-24
Applicant: 三美电机株式会社
IPC: G05F3/24
CPC classification number: G05F3/26 , G05F3/242 , H03K3/0231 , H03K4/501
Abstract: 本发明涉及电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。本发明的目的在于提供以简单的结构来补偿耗尽型MOS晶体管的温度特性的电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路。所述电流源电路的特征在于，包含：由两个增强型MOS晶体管(Q2、Q3)构成的电流镜电路；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的漏极连接，作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管(Q1)；与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管(Q2)的源极连接的、具有负的温度特性的电阻。
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