公开(公告)号：CN101162718A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710162985.8

申请日：2007-10-09

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 佐藤喜规 ,  大根尚树 ,  山前武士

IPC: H01L27/06 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5228 ,  H01L28/24 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7817 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，在现有的半导体装置中，由于经由接触孔将电阻体和配线层连接，故存在电阻体和衬底的寄生容量难以降低的问题。在本发明的半导体装置中，由氮化钛(TiN)膜构成的电阻体(25)在绝缘层(26)上直接与配线层(28、29)连接。根据该构造，使电阻体(25)和配线层(28、29)的接触面积增大，并使接触电阻降低。另外，通过加宽电阻体(25)和外延层(3)的离开距离(L1)，可降低电阻体(25)上的寄生容量，且提高半导体装置的高频特性。