公开(公告)号：CN1213474C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01135723.1

申请日：2001-09-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高田忠良 ,  北村修 ,  大川重明 ,  畑博嗣 ,  藤沼近雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L21/76297 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明在NPN晶体管和纵型PNP晶体管的介质隔离型的互补型双极型晶体管中提供实现晶体管的高耐压化用的一种半导体集成电路装置的制造方法。在形成本发明的半导体集成电路装置的集电区和集电极引出区时，在每个外延层中同时形成集电区的埋入层和集电极引出区的埋入层。然后，使各自的埋入层扩散并使其连接，刻蚀成V槽型。由此，同时形成已被厚膜化的集电区和集电极引出区，实现了高耐压化的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN1187830C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN01137074.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高田忠良 ,  北村修 ,  大川重明 ,  畑博嗣 ,  藤沼近雄

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76297 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/1203

Abstract: 提供一种用于在NPN晶体管与纵型PNP晶体管的介质隔离式互补型双极晶体管中实现晶体管的高耐压化的半导体集成电路装置及其制造方法。在本发明的半导体集成电路装置及其制造方法中，当形成半导体集成电路装置的集电极区域(32、33)时，通过层叠4层外延层，形成具有能够耐受高压的层厚的集电极区域(32、33)。另外，为了减低两个晶体管(21)和(22)的相互干扰产生的影响并减低寄生晶体管的发生，用V沟槽型蚀刻到更深的部位，并通过多晶硅(42)在两者之间实现了介质隔离。

公开(公告)号：CN1341968A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01137074.2

申请日：2001-09-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高田忠良 ,  北村修 ,  大川重明 ,  畑博嗣 ,  藤沼近雄

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76297 ,  H01L21/8228 ,  H01L27/1203

Abstract: 提供一种用于在NPN晶体管与纵型PNP晶体管的介质隔离式互补型双极晶体管中实现晶体管的高耐压化的半导体集成电路装置及其制造方法。在本发明的半导体集成电路装置及其制造方法中,当形成半导体集成电路装置的集电极区域32、33时,通过层叠4层外延层,形成具有能够耐受高压的层厚的集电极区域32、33。另外,为了减低两个晶体管21和22的相互干扰产生的影响并减低寄生晶体管的发生,在V沟槽蚀刻中蚀刻到更深的部位,并通过多晶硅42在两者之间实现了介质隔离。

公开(公告)号：CN1341961A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01135723.1

申请日：2001-09-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高田忠良 ,  北村修 ,  大川重明 ,  畑博嗣 ,  藤沼近雄

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L21/76297 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/8228 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明在NPN晶体管和纵型PNP晶体管的介质隔离型的互补型双极型晶体管中提供实现晶体管的高耐压化用的一种半导体集成电路装置的制造方法。在形成本发明的半导体集成电路装置的集电区和集电极引出区时,在每个外延层中同时形成集电区的埋入层和集电极引出区的埋入层。然后,使各自的埋入层扩散并使其连接,刻蚀成V槽型。由此,同时形成已被厚膜化的集电区和集电极引出区,实现了高耐压化的半导体集成电路装置。