公开(公告)号：CN103283033B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180063807.4

申请日：2011-12-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种能够容易地制造光电转换率高的背面接合型太阳能电池的方法。在包含绝缘层（23）的表面上的一个主面的大致整个面上，形成具有与半导体基板（10）相同的第一导电型的第二半导体层（25）。除去第二半导体层（25）的位于绝缘层（23）上的一部分，形成开口部。以第二半导体层（13n）为掩膜，除去从开口部露出的绝缘层（23），使第一半导体区域（12p）的表面的一部分露出。形成与第一半导体区域（12p）的表面和与第二半导体层（13n）的表面电连接的电极（14、15）。

公开(公告)号：CN102422434B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201080018626.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池(100)，具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。

公开(公告)号：CN102349166A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011200.7

申请日：2010-03-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池(100)的制造方法，包括：将抗蚀剂膜(50)除去并将n型非晶质半导体层(12n)的一部分除去的工序。

公开(公告)号：CN102334192A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009223.4

申请日：2010-02-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在太阳能电池(100)的制造方法中，在i型非晶质半导体层(11i)和p型非晶质半导体层(11p)的图像化工序之后，i型非晶质半导体层(12i)的形成工序之前，具备n型结晶硅基板(10n)的背面中露出区域(R2)的清洗工序。

公开(公告)号：CN103283033A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180063807.4

申请日：2011-12-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种能够容易地制造光电转换率高的背面接合型太阳能电池的方法。在包含绝缘层（23）的表面上的一个主面的大致整个面上，形成具有与半导体基板（10）相同的第一导电型的第二半导体层（25）。除去第二半导体层（25）的位于绝缘层（23）上的一部分，形成开口部。以第二半导体层（13n）为掩膜，除去从开口部露出的绝缘层（23），使第一半导体区域（12p）的表面的一部分露出。形成与第一半导体区域（12p）的表面和与第二半导体层（13n）的表面电连接的电极（14、15）。

公开(公告)号：CN102422434A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080018626.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池(100)，具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。

公开(公告)号：CN300824803D

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200730154597.6

申请日：2007-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Designer： 小野雅义 ,  高滨豪 ,  家永照彦 ,  柳浦聪生 ,  冈本真吾 ,  仲内淳 ,  中岛崇晓

Abstract: 左视图与右视图对称，故省略左视图；仰视图与俯视图对称，故省