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公开(公告)号：CN1320649C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN02159819.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0928 , H02M2003/075 , H02M2003/078
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板(50)上成长的N型外延硅层(51)、在该外延硅层(51)内间隔形成的P型阱区域(52A、52B)、这些P型阱区域(52A、52B)间形成的P型下分离层(58)及P型上分离层(59)。而且，在P型阱区域(52A)内形成电荷转送用晶体管(M2)，在P型阱区域(52B)内形成电荷转送用晶体管(M3)。P单晶硅(50)被偏置为接地电位或负的电位。
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公开(公告)号：CN1428861A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159818.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/8249 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅基板50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅基板50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN1428864A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159821.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和N型外延硅层51B，在N型外延硅层51B中设置P型阱区域52C。设有与P型阱区域52C的底部相接的P+型埋入层55，在P型阱区域52C中设置MOS晶体管。MOS晶体管具有高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D、比该高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D更深地扩散的低浓度源极层N－S或/及漏极层N－D。
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公开(公告)号：CN1260818C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02159814.2
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L27/0218 , H01L27/0623 , H02M3/073
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现用于该装置的MOS晶体管的高耐压化。其将N型外延半导体层层积于在P型单晶硅衬底(50)上成长的N型外延硅层(51A)上，在外延硅层(51B)中间隔设置P型阱区域(52A、52B)。在P型阱区域(52A、52B)间设置P型分离层(58、59)。而且，设置在P型阱区域(52A、52B)底部相接的P+型埋入层(55)，在P+型埋入层之下设置N+型埋入层(56)，将电荷转送用晶体管分别设置在P型阱区域(52A、52B)中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1428863A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159820.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0623 , H02M3/07 , H02M3/073
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和外延硅层51B，在外延硅层51B中设置P型阱区域52A、52B。设有与P型阱区域的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55之下相接并将P型阱区域52A、52B自P型单晶硅基板50电分离的N+型埋入层56，在P型阱区域52A、52B内各自设置MOS晶体管，并将MOS晶体管的漏极层D和P型阱区域52A、52B分别电连接。
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公开(公告)号：CN1312772C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02159820.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0623 , H02M3/07 , H02M3/073
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和外延硅层51B，在外延硅层51B中设置P型阱区域52A、52B。设有与P型阱区域的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55之下相接并将P型阱区域52A、52B自P型单晶硅基板50电分离的N+型埋入层56，在P型阱区域52A、52B内各自设置MOS晶体管，并将MOS晶体管的漏极层D和P型阱区域52A、52B分别电连接。
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公开(公告)号：CN1260815C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02159818.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/8249 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅衬底50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅衬底50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN1428862A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159819.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0928 , H02M2003/075 , H02M2003/078
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51、在该外延硅层51宁间隔形成的P型阱区域52A、52B、这些P型阱区域52A、52B间形成的P型下分离层58及P型上分离层59。而且，在P型阱区域52A内形成电荷转送用晶体管M2，在P型阱区域52B内形成电荷转送用晶体管M3。P型单晶硅基板50被偏置为接地电位或负的电位。
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