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公开(公告)号：CN1266770C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN02159821.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8249
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅衬底50上层积N型外延硅层51A和N型外延硅层51B，在N型外延硅层51B中设置P型阱区域52C。设有与P型阱区域52C的底部相接的P+型埋入层55，在P型阱区域52C中设置MOS晶体管。MOS晶体管具有高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D、比该高浓度源极层N+S及高浓度漏极层N+D更深地扩散的低浓度源极层N-S或/及漏极层N-D。
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公开(公告)号：CN1186874C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN02125169.X
申请日：2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 一种充电泵电路的控制方法，包括将第一和第二电容器(1、2)串联或并联连接在激励节点上的第一和第二开关(S2、S1、S3)，并使之按照以下所述的控制步骤进行充电激励动作：①在时钟CLK为L电平的状态下，通过使第一开关(S2)导通来串联连接第一和第二电容器(1、2)；②断开第一开关(S2)；③使时钟CLK为H电平状态；④通过使第二开关(S1、S3)导通来并联连接第一和第二电容器(1、2)；⑤使第二开关(S1、S3)断开；⑥使时钟CLK为L电平状态。
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公开(公告)号：CN1320649C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN02159819.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0928 , H02M2003/075 , H02M2003/078
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板(50)上成长的N型外延硅层(51)、在该外延硅层(51)内间隔形成的P型阱区域(52A、52B)、这些P型阱区域(52A、52B)间形成的P型下分离层(58)及P型上分离层(59)。而且，在P型阱区域(52A)内形成电荷转送用晶体管(M2)，在P型阱区域(52B)内形成电荷转送用晶体管(M3)。P单晶硅(50)被偏置为接地电位或负的电位。
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公开(公告)号：CN1274084C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200410034347.4
申请日：2004-04-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H03K19/094 , H02M3/07
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2003/075 , H02M2003/076
Abstract: 一种电荷泵电路，可降低电荷泵电路开始工作时产生的突入电流，可防止对其他电路的不良影响。将电荷传送用MOS晶体管(M1)～(M4)串联连接，将它们的各连接点与耦合电容器(C1)、(C2)、(C3)的一端连接，在耦合电容器(C1)、(C2)、(C3)的另一端分别施加时钟驱动器(70)、(80)、(90)的输出。例如，时钟驱动器(70)具有第1时钟驱动器(70A)和具有比第1时钟驱动器(70A)驱动能力强的第2时钟驱动器(70B)，首先使第1时钟驱动器(70A)工作，经过规定时间后，使第1时钟驱动器(70A)停止，同时进行切换使第2时钟驱动器(70B)工作。
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公开(公告)号：CN1428861A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159818.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/8249 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅基板50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅基板50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1396696A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02125169.X
申请日：2002-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/07
Abstract: 一种充电激励电路的控制方法，包括将电容器1、2串联或并联连接在激励节点上的开关S1、S2、S3，并使之按照以下所述的控制步骤进行充电激励动作：①在时钟CLK为L电平的状态下，通过使开关S2导通来串联连接电容器1、2；②断开开关S2；③使时钟CLK为H电平状态；④通过使开关S1、S3导通来并联连接电容器1、2；⑤使开关S1、S3断开；⑥使时钟CLK为L电平状态。
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公开(公告)号：CN1312772C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN02159820.7
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0623 , H02M3/07 , H02M3/073
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其在P型单晶硅基板50上层积N型外延硅层51A和外延硅层51B，在外延硅层51B中设置P型阱区域52A、52B。设有与P型阱区域的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55之下相接并将P型阱区域52A、52B自P型单晶硅基板50电分离的N+型埋入层56，在P型阱区域52A、52B内各自设置MOS晶体管，并将MOS晶体管的漏极层D和P型阱区域52A、52B分别电连接。
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公开(公告)号：CN1260815C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02159818.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L21/8249
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/8249 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0921
Abstract: 一种半导体装置，在电荷泵装置中，为防止闭锁超载现象的发生，实现大电流化而使用。其使N型外延硅层51在P型单晶硅衬底50上成长，在该外延硅层51内设置P型阱区域52。设有与P+型阱区域52的底部相接的P+型埋入层55和与该P+型埋入层55局部重叠而形成并将P型阱区域52自单晶硅衬底50电分离的N型埋入层56。在P型阱区域52内设有MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN1428862A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02159819.3
申请日：2002-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H02M3/073 , H01L27/0222 , H01L27/0623 , H01L27/0928 , H02M2003/075 , H02M2003/078
Abstract: 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板50上成长的N型外延硅层51、在该外延硅层51宁间隔形成的P型阱区域52A、52B、这些P型阱区域52A、52B间形成的P型下分离层58及P型上分离层59。而且，在P型阱区域52A内形成电荷转送用晶体管M2，在P型阱区域52B内形成电荷转送用晶体管M3。P型单晶硅基板50被偏置为接地电位或负的电位。
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