公开(公告)号：CN111602275B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201980007559.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 桥谷早奈恵 ,  宫成光则 ,  泷川雅史

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48

Abstract: 本发明的目的在于，提供保存特性及快速充电特性优异的高容量的非水电解质二次电池。本发明的一方式所述的非水电解质二次电池具有：在正极集电体上形成有包含正极活性物质的正极合剂层的正极板、在负极集电体上形成有包含负极活性物质的负极合剂层的负极板、间隔件、非水电解质、封口体和外装体。负极活性物质包含石墨及硅材料，硅材料包含：由SiOx(0.5≤x＜1.6)所示的氧化硅、以及由Li2zSiO(2+z)(0＜z＜2)所示的在硅酸锂相中分散有硅相的硅‑硅酸锂复合体。硅‑硅酸锂复合体的含量相对于硅材料为33质量％以上且93质量％以下。

公开(公告)号：CN111602275A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201980007559.8

申请日：2019-01-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 桥谷早奈恵 ,  宫成光则 ,  泷川雅史

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48

Abstract: 本发明的目的在于，提供保存特性及快速充电特性优异的高容量的非水电解质二次电池。本发明的一方式所述的非水电解质二次电池具有：在正极集电体上形成有包含正极活性物质的正极合剂层的正极板、在负极集电体上形成有包含负极活性物质的负极合剂层的负极板、间隔件、非水电解质、封口体和外装体。负极活性物质包含石墨及硅材料，硅材料包含：由SiOx(0.5≤x＜1.6)所示的氧化硅、以及由Li2zSiO(2+z)(0＜z＜2)所示的在硅酸锂相中分散有硅相的硅-硅酸锂复合体。硅-硅酸锂复合体的含量相对于硅材料为33质量％以上且93质量％以下。

公开(公告)号：CN111492528A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880081176.0

申请日：2018-12-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 宫成光则 ,  枣田俊介 ,  小林径 ,  见泽笃

IPC: H01M10/0587 ,  H01M4/13 ,  H01M4/48

Abstract: 本发明的目的在于，在负极活性物质中使用了硅化合物的非水电解质二次电池中，抑制负极的变形。作为实施方式的一例的非水电解质二次电池具备将正极(11)与负极(12)夹隔着间隔件卷绕而成的卷绕型的电极体。在负极合剂层(41)中，作为负极活性物质包含硅化合物。负极合剂层(41)的卷绕开始侧端(42)超过正极合剂层(31)的卷绕开始侧端(32)地向电极体的卷绕开始端侧延伸出来。负极合剂层(41)中的从正极合剂层(31)的卷绕开始侧端(32)延伸出来的部分的长度Y(mm)与硅化合物相对于负极活性物质的总质量的比例X(质量％)满足Y≥3X-15(6≤X≤15)的关系。