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发明公开
半导体装置的制造方法无效

公开(公告)号：CN1731568A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510082072.6

申请日：2005-07-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 小内聪 , 奥田敏弘

IPC: H01L21/331 , H01L21/283 , H01L29/73

CPC classification number: H01L29/66272 , H01L21/763

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。目前，存在来自与基极区域相邻的槽部的结晶缺陷导致集电极－基极间产生接合漏电流的问题。在本发明中，在氧化硅膜(15)及TEOS膜(16)上形成开口部(17)，距槽部(8)的上端部(18)具有隔开距离(t1)。利用开口部(17)形成基极引出电极(21)。然后，从基极引出电极(21)通过固相扩散形成外部基极区域(19)。此时，在外部基极区域(19)和槽部(8)的上端部(18)具有隔开距离(t2)。通过该制造方法，可抑制集电极－基极间产生接合漏电流。

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