公开(公告)号：CN1312767C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02801627.0

申请日：2002-05-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 土田满穗 ,  池田宪史 ,  西川円

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 现有技术的功率MOSFET是单块集成电路装置和复合元件等的电源电路装置，从封装引出的引脚是等间隔的5个管脚，不能充分保证成为高电位的第三管脚与相邻的其它管脚距离，不很安全。本发明使第三管脚与相邻的其它管脚的距离比其它管脚彼此的距离宽，而且，使第三管脚在上段、相邻的其它管脚在下段、它们以外的管脚在中段而进行成形。因此由于能充分确保高电位的第三管脚和相邻的其它管脚的距离，成为非常安全的结构。而且由于做成整体模制封装，顶部不外露，操作也很容易。

公开(公告)号：CN1462476A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN02801627.0

申请日：2002-05-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 土田满穗 ,  池田宪史 ,  西川円

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 现有技术的功率MOSFET是单块集成电路装置和复合元件等的电源电路装置，从封装引出的引脚是等间隔的5个管脚，不能充分保证成为高电位的第三管脚与相邻的其它管脚沿表面距离，不很安全。本发明使第三管脚与相邻的其它管脚的距离比其它管脚彼此的距离宽，而且，使第三管脚位于上段、相邻的其它管脚位于下段、它们以外的管脚位于中段而进行成形。因此由于能充分确保高电位的第三管脚和相邻的其它管脚的沿表面距离，成为非常安全的结构。而且由于做成整体模制封装，顶部不外露，操作也很容易。