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公开(公告)号：CN100498895C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610142057.0
申请日：2006-10-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G09G3/006 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G09G2300/0842 , G09G2300/0876 , G09G2320/0257
Abstract: 本发明的目的在于，提升在各个像素中具有显示组件的显示装置中的检查精度。本发明提供一种显示装置，在各个像素中具备显示组件；控制该显示组件的动作的像素晶体管；及将对应显示数据的电荷保持一定期间的保持电容。在一般动作时，在预定周期中对输出至各个保持电容所连接的电容线的电容信号进行交流驱动，借此可以提升显示质量等。另一方面，在像素的缺陷检查等中，将输出至电容线的电容信号设定为固定电平的构成，预先与像素电路等同时形成在基板上。借此，在检查时从各个像素的电容值数据等当中检测出各个像素的缺陷时，可以提升检查精度。此外，在检查时，也可以将固定电平，设定为适用于检查的任意检查用电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1949543A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610136354.4
申请日：2006-10-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L27/32 , H05B33/12
CPC classification number: H01L29/78633 , H01L27/3272 , H01L29/78621 , H01L51/5284
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及有机电致发光显示装置，抑制因外部光线而产生光电流，同时减少薄膜晶体管的特性(例如临限值)变动。其中，在绝缘基板1形成有通过激光退火将非晶硅予以多结晶化所构成的有源层2(半导体层)，在该有源层2中形成有互相面对的漏极区域2d与源极区域2s。漏极区域2d与源极区域2s具有各自邻接n－层与n+层而形成的构造。在漏极区域2d的n－层与源极区域2s的n－层之间形成p型的沟道区域2c。以仅覆盖漏极区域2d的n－层与沟道区域2c的交界区域的方式，形成用以遮蔽透过绝缘基板1射入至交界区域的外部光线的遮光层3d。
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公开(公告)号：CN1945670A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610142057.0
申请日：2006-10-08
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G09G3/006 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G09G2300/0842 , G09G2300/0876 , G09G2320/0257
Abstract: 本发明的目的在于，提升在各个像素中具有显示组件的显示装置中的检查精度。本发明提供一种显示装置，在各个像素中具备显示组件；控制该显示组件的动作的像素晶体管；及将对应显示数据的电荷保持一定期间的保持电容。在一般动作时，在预定周期中对输出至各个保持电容所连接的电容线的电容信号进行交流驱动，借此可以提升显示质量等。另一方面，在像素的缺陷检查等中，将输出至电容线的电容信号设定为固定电平的构成，预先与像素电路等同时形成在基板上。借此，在检查时从各个像素的电容值数据等当中检测出各个像素的缺陷时，可以提升检查精度。此外，在检查时，也可以将固定电平，设定为适用于检查的任意检查用电压。
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公开(公告)号：CN1577425A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059493.2
申请日：2004-06-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G09G3/20
CPC classification number: G09G3/3275 , G09G3/2011 , G09G3/3648 , G09G3/3688 , G09G2300/0408 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , G09G2320/02 , G09G2330/025 , G09G2330/04 , G11C19/28
Abstract: 本发明提供一种可抑制图像恶化的显示装置。该显示装置具备移位寄存器电路(4a1)，其含有输出侧电路(4c1)，该输出侧电路(4c1)具有：p沟道晶体管(PT1)，其连接于负侧电位HVSS侧，并响应于时钟信号HCLK1而进行导通；p沟道晶体管(PT2)，其连接于正侧电位(HVDD)侧；p沟道晶体管(PT3)，其连接于p沟道晶体管(PT1)的栅极和正侧电位(HVDD)之间；以及约100kΩ的高电阻R1，其连接于p沟道晶体管(PT1)的栅极和供应时钟信号(HCLK1)的时钟信号线之间。
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公开(公告)号：CN100371972C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200410042902.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0876 , G09G2320/0233
Abstract: 一种像素电路以及显示装置，其目的在于降低驱动TFT的阈值变动所造成的不良影响。藉由开关TFT(20)导通，使数据线的数据电压作为驱动TFT(22)的栅极电压VG(22)而保持于保持电容(24)。在该状态下，降低面板驱动线的电压。在驱动TFT(22)的栅极的另一端连接有连接在参考电压的MOS型电容组件(28)，该MOS型电容组件(28)是于面板驱动线的电压的电压下降前导通，上升中途转变为切断，由于该转换电容值会产生变化。因而，栅极电压VG(22)的下降坡度产生变化，藉此对应于驱动TFT(22)的阈值变化，而可修正面板驱动线下降后的栅极电压VG(22)。
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公开(公告)号：CN1573870A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410042902.8
申请日：2004-05-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/043 , G09G2300/0819 , G09G2300/0876 , G09G2320/0233
Abstract: 一种像素电路以及显示装置，其目的在于降低驱动TFT的阈值变动所造成的不良影响。藉由开关TFT(20)导通，使数据线的数据电压作为驱动TFT(22)的栅极电压VG(22)而保持于保持电容(24)。在该状态下，降低面板驱动线的电压。在驱动TFT(22)的栅极的另一端连接有连接在参考电压的MOS型电容组件(28)，该MOS型电容组件(28)是于面板驱动线的电压的电压下降前导通，上升中途转变为切断，由于该转换电容值会产生变化。因而，栅极电压VG(22)的下降坡度产生变化，藉此对应于驱动TFT(22)的阈值变化，而可修正面板驱动线下降后的栅极电压VG(22)。
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